3dlt#39;1gt;（tilt;#39;3+gt;、vlt;#39;4+gt;）离子在八面体四角晶场中epr参量的理论研究.pdfVIP

3d1(Ti3十、V4+)离子在八面体四角晶场 中EPR参量的理论研究 凝聚态物理专、ip 研究生范应娟 指导教师郑文琛 3∥离子如Ti”和v”是重要的过渡会属离子，～些激光晶体、 发光晶体、非线性光学晶体、矿物体甚至生命体中都含有3∥离_i7二， 因此人们对含3∥离子的物质的电子顺磁共振谱(EPR)进行了大 量研究，积累了较多的实验数据。但是，对比同为D一念离子的3∥ 离子，其理论研究工作开展得更不够。这主要表现在，多数研究 都采用粗糙的二阶微扰公式，尤其是只考虑了中心3∥离子旋．轨 耦合系数对EPR参量(窖因子和超精细结构常数A因子)的贡献， 而忽略了配体旋一轨藕合系数通过共价效应对EPR参量的贡献。这 样，使一些实验数据没有得到合理的解释，由于EPR参量对3d1 杂质中的缺陷结构非常敏感，也没有能够从对EPR参量的合理理 论分析中获得3∥杂质的缺陷结构的信息。 154 3∥离子的旋．轨耦合系数秽一般比较小，如秽(Ti”)z 248 cm-‘。掣(v4+)zcm