c镶嵌si2薄膜结构的电流输运及电致发光机制研究.pdfVIP

摘 要 随着信息技术的迅猛发展，用光代替电作为信息的载体，加快信息的传递速度，已 成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信息材料是本世纪最受关注的 材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅平面集成工艺己相当 成熟，所以从工艺兼容性方面考虑，用硅基材料作为发光器件将会是最佳的选择。同时， 硅基材料和硅平面工艺是超大规模集成电路的核心和关键，纳米硅晶（纳米锗晶等）在 发光器件、光探测器件、光电集成以及传感器等领域有更广阔的应用前景。由于二氧化 硅是硅基集成电路的钝化膜和介质膜，与硅基平面工艺完全兼容，如果能有效地提高纳 米硅/二氧化硅体系的发光效率，就可以实现光电集成。 为了探索制备理想的发光材料的最佳工艺方法，并且从理论上认清其发光机制，对 优化材料的适用条件和制备手段进行指导，本论文中，我们小组主要用射频磁控溅射双 靶交替淀积技术制备了 Au/(C/SiO2)/p -Si 结构的样品，测定了样品在室温下的 I- V 特性曲 线以及不同正（反）向偏压下的电致发光谱。对其载流子输运及电致发光的内在机制进 行了研究。 载流子输运机制的研究，主要是利用 Au/(C/SiO )/p -Si 结构的I- V 特性曲线研究了该