plzt纳薄膜的制备及其介电性能研究.pdfVIP

摘要 摘 要 14403，简称PLZT]薄膜具有优良的介电、铁 锆钛酸铅镧fPbI．zLaz(zrx，豇10 电、压电、电光等效应，广泛应用于微电容、动态随机存储器(DRAM)、非挥发 铁电随机存储器(FRAM)、光电开光等领域。本文通过水浴回流制备出稳定的 P嘲胶，然后用旋涂法在Si000)基底上制备出成膜良好的PLZT薄膜，并通过 镜(SEM)对其微观结构进行表征，最后在PLZT薄膜上蒸镀Ag电极，并通过精 密阻抗分析仪(P队)对其介电性能进行测试研究。 在配制稳定的PLZT溶胶时，运用正交实验法对溶剂、pH值、乙醇胺／eLZT (摩尔比)、回流时间等四个因素对稳定溶胶的影响程度进行了研究，研究结果 表明，主要影响因素为回流时问和乙醇胺／PLZT，其次为pH值和溶剂，稳定溶 胶配制的最佳条件为：溶剂为甲醇，pH值为3．5，乙醇胺／Pt2T=0．4／l，回流时间 为10d时。 以转速为3000r／rain,时间为40s，把浓度为0．25 M的溶胶旋涂在Si(100)基底 上，然后把制备的湿膜于100℃在真空干燥箱干燥15rain，最后在700℃下保温 30 rain制得了平均粒径约为50-70 量的增加，PLZT薄膜的粒径减小，主要衍射面的d值变大，且PLZT薄膜由三方 相在向四方相逐渐转变。 随着锆含量的增加，一方面PLZT薄膜的相对介电常数先升高后降低，在测试 频率为l PLZT薄膜的介电损耗上下波动，当相对介电常数达到最大值￡l；837时，有次低的 介电损耗D=1．067。 Bi，+掺杂不但可以提高PLZT薄膜的相对介电常数，降低PLZT薄膜的介电损 耗，而且可以提高PLZT薄膜的稳定性能。在测试频率为1KHz，对于组分为7／45／55 0．383。 关键词：PLZT薄膜；溶胶．凝胶法；旋涂法；介电性能；Bi”掺杂 Abstract The as films excellent PLZT)thin Pbt《‰(Z,r,,TiloJ-v403(abbreviated possess and which咖beusedfor dielectric．ferroeleotric,piezoelectricdecetroopt砌effects a of randomaccess varietyapplicationsincludingmicro-capacitors，DRAM(dynamic ralldom a以嬲memories),andeleorooptical memories)，DRAM(fcrroelectric etc．The solWaS theme,hod switchingsteady preparedthrough 砒97℃fortenhours．ThenPLZTthinfilmsWelOfal)ricated onclean byspin-coating microscope WaS ofthe thermal investigated Si(100)跚bstratas．The samples by