宽带隙稀磁导体纳晶的特性研究.pdfVIP

摘 要 稀磁半导体材料和纳米材料是当前国际两大重点研究领域。稀磁半导体纳晶材料则集两者 特点于一身，更是备受关注，探索稀磁纳晶材料的新颖特性和调控手段成为当前研究的热点。 本论文简要回顾了自旋电子学、宽带隙稀磁半导体和低维相的研究历史和现状；详细阐述 了密度泛函理论以及电子结构计算方法−离散变分方法和ADF以及原子模拟方法。 我们首先利用第一性原理电子结构计算方法系统考察了宽带隙稀磁半导体Mn/Cr-GaN 纳晶 团簇的电子结构和磁学特性，深入研究了该纳晶体系的对称性，表面吸附原子和磁学特性间的 关系；最后我们采用原子模拟方法对过渡金属Co/Fe 掺杂不同尺寸ZnO 纳晶团簇的缺陷分布特 性进行了研究。 我们的研究表明，具有 O 对称的 Ga MnN H ,Ga MnN H 和 Ga MnN H 岩盐型纳 h 12 14 24 12 14 32 12 14 38 晶团簇，每个Ga 原子上吸附2 个H 原子，每个顶角和面心处N 原子上无或吸附一个H 原子， H 原子覆盖度为44%，59%和 70%，其纳晶团簇的总磁矩均为3μ 。而Cr 掺杂时为2μ 。具有