有机半导体金属表面有序结构与电子态的研究.pdfVIP

3．2．2样品和样品架……………………………………………………30 3．2．3低能电子衍射……………………………………………………32 3．2．4蒸发源……………………………………………………………33 3．2．5紫外光电子能谱装置……………………………………………34 3．3结果与讨论…………………………………………………………………37 参考文献…………………………………………………………………………44 第四章总 结……………………………………………………………………46 至殳谢…．．．．…．．．．．．．．．．．．…．．．．．．……．．．．．．．．…．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．47 硕士期间发表的论文……………………………………………………………．．48 2 有机发光器件(OLED)、有机光导体器件(OPC)等显示出非常优秀的特 性和潜在的应用前景，对有机发光器件和有机光导体器件的研究受到人们越来越 大的兴趣。大多数的有机半导体器件中都存在金属．有机半导体、有机半导体．有 机半导体等多种界面。在存在着电子供给层和载流子传输层界面的有机光导体 中，界面的电子性质对电荷的传输和分布产生重大影响。为了改善载流子从电极 向有机层的注入以及器件的行为，有必要深入探索和认识涉及有机光导体器件的 各个界面，特别是研究金属．有机半导体界面的结构和电子态性质。通过对有序 吸附层的研究可以获得许多有关有机吸附层和衬底之间相互作用的重要信息，同 时在无机衬底上控制有机半导体材料的有序生长为改善有机半导体器件的界面 特性，产生具有新颖电子性质的有机．无机混合结构提供了一种可能。 本文利用紫外光电子能谱(UPS)对在Ag(110)表面上有机分子Fluorescein的 生长进行了研究。首先用UPS测量了Fluorcsccin在衬底Ag(1lo)表面上不同覆盖 度时的电子态特性。当Fluorescein在衬底上的覆盖度为一个单层时，来自有机 eV处。随着覆盖 分子的特征谱峰分别位于费米能级以下2．40，4．50，6．30和9．00 度的增加，谱峰发生了移动，当有机分子Fluorescein在衬底上的覆盖度为多层 eV 时，有机半导体材料的4个特征峰分别位于结合能为2．70，3．80，7．40，和9．80 处。当有机分子的覆盖度为多分子层时，有机分子受衬底的影响较小。谱峰随着 覆盖度改变的移动说明：在有机半导体和金属的界面处，吸附层与衬底发生了相 互作用。 Ag(1lO)表面上覆盖度为一个分子单层(ML)时的分子取向。结合用多重散射团 似平行衬底平面，分子的C=O的轨道轴向接近于【lTo】晶向。 of the tothe ofthe photosensitivityorganicphotoconductors(OPCs)iskey operations devices． organic-based Thecontrolledof semiconductormaterialson growthorganic inorganic substratesan for akindof deviceswith providesopportunityproducing organic-based novelelectronic ordered ad ondifferent properties．Constructingorganiclayers substratesabout onbothfundamentaland research． a