聚己内酯、氧化乙烯纳米si3n4复合材料结晶行为的研究.pdfVIP

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  • 2015-10-27 发布于贵州
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聚己内酯、氧化乙烯纳米si3n4复合材料结晶行为的研究.pdf

聚己内酯、氧化乙烯纳米si3n4复合材料结晶行为的研究

摘要 摘要 纳米氮化硅(Si3N4)是一种性能优异的陶瓷材料被广泛应用于聚合物基纳 米复合材料的制备。但纳米Si3N4陶瓷粉体具有高表面能、高比表面积在使用 过程中很容易团聚,导致其在聚合物基体中很难达到纳米级的分散。使用改性 剂对纳米Si3N4进行表面修饰能够有效地改善聚合物基体和纳米粒子之间的相 容性,提高粒子的分散性。利用性能优异的无机纳米粒子开发新型特殊性能的 聚合物基纳米复合材料国内外已有大量文献报道,而对纳米材料如何影响聚合 物结晶行为的研究尚不完善。故本文针对纳米Si3N4的表面改性、纳米Si3N4在 聚合物基体中的分散、聚合物基体的结晶行为以及纳米粒子对基体结晶过程的 影响进行了研究。 1、根据聚合物的化学结构特征,参照本实验室的工作经验,采用小分子改性剂 KH570对纳米Si3N4进行表面修饰,以便提高其与聚合物基体的相容性,阻碍 实验等手段对改性后的纳米Si3N4进行表征,结果表明改性剂KH570已成功键 接在纳米Si3N4上,最佳百分用量为Si3N4用量的33wt%,键接方式主要为化学 键键接,化学包覆率为13.05wt%,改性Si3N4在聚合物基体中的分散达到了纳 米尺度上的分散。 2、采用溶液共混法制备了聚己内酯PCL/纳米Si3N4复合材料,利用差示扫描量 的含量、Si3N4的表面性质等因素对体系结晶过程的影响。主要发现纳米Si3N4 具有成核作用,可以减弱聚合物PCL对降温速率的依赖,但不会改变PCL的 晶体结构;随其含量的增加聚合物的结晶温度T。和结晶开始温度T。锄也提高, 3.87x10一Itm/s,且球晶生长速率越慢,球晶半径却越大。 安徽大学硕士论文 聚己内酯、聚氧化乙烯,纳米si3N4复合材料结晶行为的研究 总结、阐述了结晶温度Tc和熔融温度Tm及单位质量吸收的热量AH随分子量变 化的关系,又进一步将数据处理得到了相对结晶度Xt与结晶时间t的变化曲线 并利用Avrami方程对曲线进行了模拟。对POM照片进行定性观察和定量分析, 绘制了球晶半径对结晶时间的曲线和晶核密度对结晶时间的曲线,并解释了它 们的变化与分子量的关系。最后使用TEM和XRD分析了聚合物的晶体结构, 发现PEO的晶型与分子量无关,但低分子量的PEO结晶能力更好,晶体更完 善。 关键词:纳米Si3N4,表面改性,聚己内酯,聚氧化乙烯,结晶 II 摘要 Abstract Nano-silicon isa structuralceramic highperformance nitride(Si3N4)powder materialandithasbeen usedinthe of widely preparationpolymer nanocomposites. surface and surfaceareaof Howeverthe high energylargespecific nano.Si3N4 leadsto whenitisusedinthe easily materials.Sothe Cannot aggregation powder reach in nanometerscale the dispersionpolymermatrix.Byaddingmodifier,the

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