金属和半导颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究.pdfVIP

金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究 中文摘要 摘 要 光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时 代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工艺兼容性考 虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择，而其获得应用的关键是提高发光 效率。我们利用双离子束共溅射和射频磁控共溅射技术制备了～系列含有半导体 薄膜，分别对它们的结构、光吸收以及发光性质进行了研究。 一． 利用双离子束溅射沉积技术，通过共溅射方法制备了Si—Si02薄膜， 研究了沉积时间、工作气压P小基片温度等对沉积速率的影响。用TEM和XRD 分析了样品的结构。当温度较低时(沉积时的基片温度Ts450。C，后处理退火 ℃，Ta≥800。C)薄膜样品中才出现Si的结晶颗粒。利用射频磁控溅射技术制备 了Ge—Si02样品，当退火温度Ta600 6C时，样品无明显晶态衍射峰；随着退火温 Ge203减少而单质Ge增加，而GeO含量和SiO含量，则为先增加后急剧减少。 利用双离子束共溅射法所制备的A卜Si—Si0：薄膜样品中，掺入的