半导体发光器件-LD和LED.ppt

本文观看结束！！！ 祝各位身体健康！万事如意！！ 图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a) 光强的角分布； (b) 辐射光束 下图为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中θ‖和θ⊥分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。为方便应用，应努力使激光束接近圆形。 5.半导体激光器的分类 (1) 依材料划分。激光二极管主要集中在III-V族 AlGaAs、GaInAsP、InGaAlP、InGaNg以及 II-VI族 ZnSSe、 ZnO等材料上。 研究、 开发、 生产最多的是AlGaAs、 GaInAsP、InGaAlP，InGaN在最近几年非常引人注目。 (2) 依波长划分。半导体激光二极管分为可见光、红外长波长、远红外长波长三大类。红外长波长的激光二极管由 1.3 μm、1.55 μm和 1.48 μm的 GaInAsP激光器，以及 980 nm的 InGaAs 激光器，近红外波长（760~900 nm）的激光二极管由 AlGaAs 激光器，可见光波段中有红色的 AlGaAs 激光器 （760~720 nm） 、 InGaAlP （680~630 nm） 、 蓝绿光的InGaNg（490 ~ 400 nm） 。还有远红外波长 II-VI 族激光器。 (3) 依器件结构划分 (4) 依输出功率划分。激光二极管的输出功率通常为毫瓦量级。经过研究和开发，现在已经有了各种规格的功率输出了。除了常规的小功率（通常为1~10mW）的AlGaAs、InGaAsP、InGaAlP激光二极管之外，大功率（高达1~10W，甚至100W、1000W）以及脉冲功率为万瓦级的激光器阵列也越来越受到重视，并且已经进入实用化。 (5) 依应用领域划分。半导体激光二极管主要应用于光纤通信、光盘存储、光纤传感、激光仪器等。半导体激光二极管的常规外形如图 所示，包括带有玻璃窗口的半导体激光二极管单管和带有光纤尾纤的半导体激光二极管组合件，最后一支是键合在热沉上的管芯。 6. 半导体激光器基本结构 驱动电源 工作物质 谐振腔 PN结注入载流子* 光子激励 电子束激励 PN结（同质结） 异质结 单异质结 双异质结（DH） 解理面 布拉格反馈 分布反馈式DFB 分布布拉格反射式DBR 最简单的半导体激光器由一个薄有源层（厚度约0.1μm）、 P型和N型限制层构成，如下图所示。 解理面 金属接触 电流 有源层 P型 N型 300μm 100μm 200μm 大面积半导体激光器 1）同质结（PN结）半导体激光器 PN能带 正向电压V时形成的双简并能带结构 PN结LD的特点：阈值电流高，常温下不能连续工作 所加的正向偏压必须满足 1）同质结半导体激光器 2）异质结半导体激光器 同质结、异质结结构示意图 为了获得高势垒,要求两种材料的禁带宽度有较大的差值。 这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。 结构中间有一层厚0.1-0.3μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。 图3.5是双异质结(DH)平面条形结构。 3）双异质结（DH）半导体激光器 双异质结DH半导体激光器的工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层。 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1-0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。  图 3.6 DH激光器工作原理 (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布 在研制半导体激光器的历史中，双异质结激光器是个重要的里程碑。 双异质结构同时提供了载流子限制和光限制， 这是此前的半导体激光器所没有的优点。 因此它能将阈值电流密度由以前的 5000 A/cm2以上降至 1000 ~ 3000 A/cm2的范围。 电注