卤氧化铋半导体料的表面结构调控及其光催化性能研究.pdfVIP

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  • 2015-10-31 发布于贵州
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卤氧化铋半导体料的表面结构调控及其光催化性能研究.pdf

卤氧化铋半导体料的表面结构调控及其光催化性能研究

卤氧化铋半导体材料的表面结构调控及其光催化性能研究 摘要 卤氧化铋半导体材料的表面结构调控及其光催化性能研究 徐本燕(物理化学) 摘 要:光催化技术因其在解决能源短缺和环境污染问题方面的潜在应用而受到国 内外的广泛关注。与传统处理方法相比,光催化材料能将有机污染物彻底分解成 CO 和H O,具有成本低、高效、不产生二次污染等优点。为了更为有效地利用太 2 2 阳光,寻求高活性的可见光催化材料是光催化技术进一步走向实用化的必然趋势。 近年来,卤氧化铋 (BiOX ,X=Br 、I )半导体材料因具有良好的光吸收和光化学稳 定性而成为新型光催化材料的研究热点。本论文旨在通过能带匹配、表面结构调控 手段达到对卤氧化铋的复合改性,构建一类新型的BiOX/半导体异质结光催化材料, 实现其活性增强。同时,进一步讨论电子-空穴对的产生、分离,主要活性物种的类 型等,探讨卤氧化铋的光催化活性增强机制。 主要研究内容及重要结论如下: 1. 采用改进的沉积-沉淀法制备BiOI/BiOBr 异质结催化剂,并利用多种表征手 段,例如XRD 、SEM、HRTEM 、BET 和DRS

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