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- 2016-09-18 发布于北京
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常见电子类硬件笔试题整理(部分含答案).doc
14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)
16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)
17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)
18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)
20、什么叫latchup?(科广试题)
21、什么叫窄沟效应? (科广试题)
22、什么是nmos、pmos、cmos?什么是增强型、耗尽型?什么是pnp、npn?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)
23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管,n阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)
24、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(infineon笔试试题)
25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
26、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare the resistance of a metal,poly and diff
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