ZnO基薄膜晶体管研制.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 摘要： ZnO基薄膜晶体管因其在平板显示器领域的广泛应用前景而吸引了越来越多 的关注和研究。由于ZnO中存在。空位、Zn填隙等缺陷，因此常规制备的未掺杂 ZnO趋向于具有较大的载流子浓度，这使得制备的ZnO．TFT关态电流较大，易为 耗尽型晶体管。因此ZnO基TFT的研制中需要解决的问题之一就是控制ZnO有 源层的载流子浓度。针对这一问题，本论文主要制备了ZnO基TFT，并通过优化 薄膜的沉积条件，提高ZnO基TFT的电学性能。主要研究工作如下： 1、利用射频磁控溅射在石英衬底上沉积了ZnO薄膜，研究了ZnO薄膜厚度与 火温度对器件性能的影响，并探讨了不同的沟道宽长比对器件开态电流和迁移率 的影响。实验结果表明，ZnO厚度为40 oC时，器件性能最好， nnl，退火温度为950 crll2／V X10‘7 阈值电压为．2．4V，迁移率为27．5 S，开关比为7×