《聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析2016年论文》.pdfVIP

第 3O卷 第 3期 液 晶与显示 Vo1．3O No．3 2015年 6月 ChineseJourna1ofLiquidCrystalsandDisplays Jun．2015 文章编号 ：i007—2780(2015)03—0427—05 聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析 谢应涛，欧阳世宏，王东平，朱大龙，许 鑫，方汉铿 (1．上海交通大学 电子工程系，上海 200240； 2．TFT—LCD关键材料及技术国家工程实验室，上海 200240) 摘要 ：基于溶液法制备稠合噻吩一吡咯并毗咯二酮聚合物薄膜 晶体管，比较不 同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征 曲 线 。结果表明，旋涂环境对聚合物薄膜 晶体管的影响可 以忽略，但是退火环境对聚合物薄膜 晶体管的影响至关重要 ，从 饱和迁移率角度来看，在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多。无论退火温度是 100。 C低温情况还是 190。C高温情况 ，上述结论均适用。这一结果表明退火环境对器件 的影