太阳能电池制造技术(晶硅非晶硅).pptVIP

Outline 太阳能电池 太阳能电池分类 晶体硅电池的工艺 电池效率总结 太阳能电池产业链 工业硅 6N以上高纯多晶硅 单晶硅棒 多晶硅锭 物理化学 处理 高温熔融 单晶硅片 多晶硅片 组件 系统 太阳能电池结构 太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它们的结构基本一样，都有以下部分组成 单晶电池 多晶电池 铝硅形成背面 硅基体 扩散层 蓝色氮化硅 绒面 表面主栅线 表面细栅线 太阳能电池分类 现有的太阳能电池可以分成以下几类： 晶体硅 单晶硅：无锡尚德(Suntech)、南京中电(China Sunergy)、河北晶澳(Jingao Solar)等。 多晶硅：天威英利(Yingli Green Energy)、常州天合(Trina Solar)、苏州阿特斯(CSI)等。 薄膜 非晶硅：天威薄膜、杭州正泰、南通强生等 碲化镉(CdTe)：美国Firstsolar 铜铟镓硒(CIGS)：美国Nanosolar 太阳能电池分类 染料敏化太阳能电池（Dye Sensitive Solar Cell) 有机薄膜太阳能电池（Organic Film Solar Cell) 纳米量子点太阳能电池（Nanometer Quantum Dot Solar Cell) 未来电池 目前处于实验室研发阶段，实际生产还未开发出来的太阳能电池，或许会成为未来50年太阳能电池的主角，它们是： 晶体硅太阳能电池工艺简介 晶体硅电池工艺分为单晶硅电池工艺和多晶硅电池工艺，它们大体上相同，最大的不同在于第一步的清洗制绒，工艺步骤如下： 硅片清洗、制绒工艺（单晶硅用碱液制绒面，多晶 硅用HF和HNO3混合酸制绒面） 扩散工艺（企业中采用的是POCl3液态源扩散） 边缘刻蚀工艺 氢氟酸清洗工艺 （去磷硅玻璃 ） （去PSG） PECVD镀膜工艺 印刷烧结工艺 测试工艺 1 硅片清洗制绒 目的：清洗是为了除去沾污在硅片上的各种杂质，包括油脂、金属离子、尘埃等；表面刻蚀制绒(SDE, texture)是为了除去硅片表面的切割损伤层，同时得到合理的粗糙表面，减小光在表面的反射，增加光尤其是长波长光在硅片内传输路径，获得适合扩散制p-n结要求的硅表面。 单晶硅各向异性，我们采用强碱氢氧化钠(NaOH)腐蚀制绒，而多晶硅是各向同性，采用强酸硝酸和氢氟酸(HNO3+HF)腐蚀制绒。 1硅片清洗制绒 单晶硅电池在扫描电镜下放大1500倍的制绒表面 多晶硅电池在扫描电镜下放大1000倍的制绒表面 1 硅片清洗制绒 清洗后硅片质量监控：腐蚀量计算、反射率、少子寿命的测试。硅片要求表面光亮，无肉眼可见沾物，无崩边、缺角、穿孔等可视缺陷，即为合格品。 清洗制绒常用设备厂家： 单晶硅：无锡瑞能、深圳捷佳创、48所 多晶硅：德国RENA、Schmid 2 扩散制p-n结 目的：在P型硅片的表面扩散(diffusion)进一薄层磷，以形成0.3-0.6微米左右深的浅p-n结， p-n结形成后，能在硅片内产生电场，当光照射到硅片上被吸收产生电子-空穴对时，电场能将电子-空穴对分开，产生电流。 扩散的原理：扩散是自然界普遍存在一种规律。所谓扩散，就是物体存在浓度不均匀时，从高浓度流动到低浓度直至平衡的一种现象。当磷沉积在硅片表面后，表面与内部存在浓度梯度，磷原子在高温驱动下穿过晶格到达其平衡位置，在硅片片面形成n型层。 2 扩散制p-n结 扩散后硅片的监控：测试方块电阻R□ (sheet resistance)， R□可理解为在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻，他与薄膜的电阻率和厚度有关，与薄膜的尺寸无关。通过的R□测试，可以近似比较磷扩散的平均深度。扩散后的硅片要求表面光亮且无肉眼可见沾物，无崩边、缺角、孔洞等可视缺陷才视为合格品。 扩散后的多晶硅硅片 2 扩散制p-n结 扩散的分类： 链式扩散：diffusion inline 管式扩散：diffusion in tube 扩散设备主要厂家： 中国：48所 德国：Tempress、Centrotherm、Schmid 单面扩散 双面扩散 管式：48所、Tempress、Centrotherm 链式：Schmid 3 周边刻蚀 目的：扩散过程中，硅片的外围表面导电类型都变成了n型。此工序就是利用等离子体刻蚀机刻蚀(etching)硅片边缘，以使前表面与背表面的n型层隔断，防止电池做出来以后正负极出现短路。如图所示： 双面扩散的周边刻蚀 边缘刻蚀的监控：边缘电阻测试 参与反应