SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的CV特性畸变.pdfVIP

第 27 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 7 2006 年 7 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2006 SiC 隐埋沟道 MOS 结构夹断模式下的 CV 特性畸变 郜锦侠 　张义门　张玉明 ( 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 , 西安 　7 1007 1) 摘要 : 用数值和解析的方法研究了 SiC 隐埋沟道 MO S 结构夹断模式下 CV 特性的畸变. 隐埋沟道 MO SF E T 中存 在一个 p n 结 ,在沟道夹断以后 ,半导体表面耗尽区和 p n 结耗尽区连在一起 ,这时总的表面电容是半导体表面耗尽 区电容和 p n 结电容的串联 ,使埋沟 MO S 结构的 CV 特性发生畸变. 文中通过求解泊松方程 ,用解析的方法分析了 这种畸变发生的物理机理 ,并对栅电容进行了计算 ,计算结果与实验结果符合得很好. 关键词 : 埋沟 MO S 结构 ; 夹断模式 ; CV 特性 ; SiC ; 畸变 PACC : 7340Q ; 72 10 中图分类号 : TN 386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) ) 示 的 CV 特性 ,用数值方法分别计算了隐埋沟道 1 　引言 ( ) MO S 结构和常规 MO S 结构 用 IN V 表示 的 CV Si C 是一种宽禁带半导体 , 它在高温 、高功率 、 特性 ,如图 1 所示. 隐埋沟道 MO S 结构的参数为 : 高频 、抗辐射方面具有很广泛的应用. Si C M OS F E T 沟道区注入施主浓度 N D = 1 ×1017 cm - 3 ,衬底掺杂 [ 1 ] 16 - 3 的特性一直受到低的反型层迁移率的限制 , 低的 μ 浓度 N A = 2 ×10 cm ,沟道深度 xi = 02 m . 而常 反型层迁移率是由于大的界面态密度和界面粗糙度 规 MO S 结构是以n 型材料为衬底 ,掺杂浓度 N D = [ 2 ] 散射所造成的 . 为了减小界面对载流子输运的影 响,有人开始研究 Si C 埋沟 M OS F E T[ 3 ,4 ] . 我们已经 成功研制了 4 HSi C 埋沟 M OS F E T[ 5 ] . 这种结构的 器件被认为在高频大功率及其集成电路等领域中具 有很好的应用前景. 怎样表征和提取器件基本参数 就成为一个重要的问题. B CM OS F E T 是在衬底表面注入一层与衬底 掺杂类型相反的杂质 , 由于注入层很浅 ,