2015-2016学年高二物理练习:6章测评B(人教版选修3-2).docVIP

2015-2016学年高二物理练习:6章测评B(人教版选修3-2).doc

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第六章测评B (高考体验卷) 一、选择题(本题共10小题,每小题5分,共50分。其中第1~7题为单选题;第8~10题为多选题,全部选对得5分,选不全得2分,有选错或不答的得0分) 1.(2014·安徽四校联考)如图所示为一只“极距变化型电容式传感器”的部分构件示意图。当动极板和定极板之间的距离d变化时,电容C便发生变化,通过测量电容C的变化就可知道两极板之间距离d的变化情况。在下列图中能正确反映C与d之间变化规律的图象是(  ) 解析:由电容器的电容决定式,C=,C与d成反比,能正确反映C与d之间变化规律的图象是A。 答案:A 2.(2013·北京西城期末)如图所示,电路中RT为热敏电阻,当温度升高时,RT阻值变小。R1和R2为定值电阻。开关S闭合后,RT的温度升高,则下列物理量中变小的是(  )                  A.通过RT的电流 B.通过R1的电流 C.通过R2的电流 D.电容器两极板间的电场强度 解析:开关S闭合后,RT的温度升高,RT阻值变小,通过RT的电流增大,通过R1的电流增大,通过R2的电流减小,电容器两极板间的电场强度增大,选项C正确。 答案:C 3.(2013·江苏单科,4)在输液时,药液有时会从针口流出体外,为了及时发现,设计了一种报警装置,电路如图所示。M是贴在针口处的传感器,接触到药液时其电阻RM发生变化,导致S两端电压U增大,装置发出警报,此时(  ) A.RM变大,且R越大,U增大越明显 B.RM变大,且R越小,U增大越明显 C.RM变小,且R越大,U增大越明显 D.RM变小,且R越小,U增大越明显 解析:根据闭合电路欧姆定律,当RM变小时,电路中电流增大,S两端电压U增大,且R越大,在RM减小时,RM与R的并联电阻值变化越明显,电路中电流变化越明显,S两端电压U增大得也越明显,选项C正确。 答案:C 4.(2013·江苏名校质检)如图所示,R1、R2、R3是固定电阻,R4是光敏电阻。当开关S闭合后在没有光照射时,a、b两点等电势,当用光照射R4时(  ) A.R4的阻值变小,a点电势高于b点电势 B.R4的阻值变小,a点电势低于b点电势 C.R4的阻值变大,a点电势高于b点电势 D.R4的阻值变大,a点电势低于b点电势 解析:光照射光敏电阻时,阻值变小,光敏电阻分压减小,a点电势降低,所以B对。 答案:B 5.(2011·北京理综,18)“蹦极”就是跳跃者把一端固定的长弹性绳绑在踝关节等处,从几十米高处跳下的一种极限运动。某人做蹦极运动,所受绳子拉力F的大小随时间t变化的情况如图所示。将蹦极过程近似为在竖直方向的运动,重力加速度为g。据图可知,此人在蹦极过程中最大加速度约为(  ) A.g B.2g C.3g D.4g 解析:由图象可知,此人的重力mg=F0,则F0=mg。运动中此人受力最大为F0,即3mg。所以最大加速度a==2g,选项B正确。 答案:B 6.(2012·上海单科,7)如图,低电位报警器由两个基本门电路与蜂鸣器组成,该报警器只有当输入电压过低时蜂鸣器才会发出警报。其中(  ) A.甲是“与”门,乙是“非”门 B.甲是“或”门,乙是“非”门 C.甲是“与”门,乙是“或”门 D.甲是“或”门,乙是“与”门 解析:高、低电压都可以通过甲,则甲是“或”门;低电压通过乙后,输出为高电压使蜂鸣器导通发出警报;高电压通过乙后输出为低电压,蜂鸣器不导通,不发出警报,则乙是“非”门,选项B正确。 答案:B 7.(2014·上海徐汇区模拟)压敏电阻的阻值随所受压力的增大而减小,有位同学设计了利用压敏电阻判断升降机运动状态的装置,其工作原理如图所示。将压敏电阻固定在升降机底板上,其上放置一个物块,在升降机运动过程的某一段时间内,发现电流表的示数I不变,且I大于升降机静止时电流表的示数I0,在这段时间内(  ) A.升降机可能匀速上升 B.升降机一定在匀减速上升 C.升降机一定处于失重状态 D.通过压敏电阻的电流一定比电梯静止时大 解析:发现电流表的示数I不变,且I大于升降机静止时电流表的示数I0,在这段时间内,说明压敏电阻中电流减小,压敏电阻的阻值增大,通过压敏电阻的电流一定比电梯静止时小,说明升降机加速度向下,处于失重状态,选项A、B、D错误,C正确。 答案:C 8.(2011·江苏单科,6)美国科学家Willard S.Boyle与George E.Smith因电荷耦合器件(CCD)的重要发明荣获2009年度诺贝尔物理学奖。CCD是将光学量转变成电学量的传感器。下列器件可作为传感器的有(  ) A.发光二极管 B.热敏电阻 C.霍尔元件 D.干电池 解析:霍尔元件是应用霍尔效应的半导体,所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象,可见霍

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