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2010年 春季《半导体物理学》学位考试复习提纲 第一章 导论 半导体晶体 重点掌握 晶体的基本概念； 布拉伐格子； 单胞与原胞； 密勒指数。 第二章 平衡状态下半导体体材的特性 重点掌握 描述每个量子态被电子占据的几率随能量E变化的分布函数； 费米能级EF； 本征半导体的载流子浓度； 掺杂半导体的载流子浓度。 第三章 非平衡状态下半导体体材的特性 重点掌握 非平衡状态指的是什么； 载流子的漂移输运现象； 载流子的扩散输运现象； 电导率方程； 爱因斯坦关系； 布尔兹曼关系； 连续性-输运方程。 第四章 平衡和偏置状态下的PN 结特性 重点掌握 PN的能带图； 接触势； PN结的偏置； 耗尽区厚度与电压的关系； 结电容。 第五章 PN 结的伏-安特性 重点掌握 肖克莱定律； 正偏条件下的 PN 结特性； 反偏条件下的 PN 结特性。 第六章 半导体表面和 MIS 结构 重点掌握 表面势； p型和n型半导体在积累、耗尽、反型和强反型状态下的能带结构 MIS 结构的 C-V 。 第七章 金属-半导体接触和异质结。 重点掌握 金属和低掺杂半导体形成的接触； 肖特基势垒； 功函数； 半导体的亲和能。 例题： 1，请给出图示晶面的密勒指数（Miller indices）： 2，现有三块半导体硅材料，巳知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为：p01 = 2.25×10 16/cm3；p02 = 1.5×10 10/cm3；p03 = 2.25×10 4/cm3。 分别计算 (]) 这三块材料的电子浓度。n01；n02；n03 (2) 判别这三块材料的导电类型： (3) 费米能级的位置。 室温下硅的Eg = 1.12eV，ni = 1.5×10 10/cm3； ㏑1.5 = 0.405；㏑10 = 2.301 解： (]) 根据质量作用定律，有 (2) 因为 p01 = 2.25×10 16/cm3 n01 = 1×10 4/cm3，故为p型半导体。 p02 = 1.5×10 10/cm3 = n02 = 1.5×10 10/cm3 = ni，故为本征半导体。 p03 = 2.25×10 4/cm3 n03 = 1×10 16/cm3，故为n型半导体。 (3) 室温下 T = 300K，kT = 0.026eV。 由 ，得 则对第一块半导体，有 即p型半导体的费米能级位于禁带中线下方0. 369eV处。 对第二块半导体，有 即本征半导体的费米能级位于禁带中线处。 对第三块半导体，有 即n型半导体的费米能级位于禁带中线上方0. 348eV处。 3，各向异性晶体中，能量E可用波矢k的分量表示： 试求出能替代牛顿方程F = ma的电子运动方程。 解：因为电子的运动速度可表为： 所以电子的加速度为 由于单位时间内能量的增加等于单位时间内力做的功，即 所以， 上式可改写为 显然，有理由定义晶体中电子的有效质量 m* 为 按本题所给条件， 分别求得 于是 ；； 便是各向异性晶体中替代牛顿方程的电子运动方程。 4，含受主密度和施主密度分别为Na 和Nd 的 p 样品，如果两种载流子对电导的贡献都不可忽略，试证样品的电导率公式： 早式中 ni 是本征载流子密度。样品进入本征导电区，上式简化为什么形式? 解： 先求电子和空穴密度。两种载流子对电导的贡献都不可忽略，表明本征激友不能忽略，这是温度较高时的情形．两种杂质都已完全电离，电中性条件件可写为 联立上两式求得 于是包含两种载流子样品的电导率为 即 样品进入本征导电区，Na – Nd ni，上式简化为 从而，电导率公式简化为 5，室温下，某高纯半导体材料的电子迁移率 μn = 3900 厘米2／伏 ? 秒 电子的有效质量 mn = 3×10 -28 克 电子的电荷 qn = 1.6×10 -19 库仑 试计算 (1) 电子的热运动速度v 平均值 (取均方根速度)； (2) 电子的平均自由时间τ ； (3) 电子的平均自由路程 l ； (4) 外加电场为10 伏／厘米时的漂移速度 vD， 并简要讨论 (3) 和 (4) 中所得的结果。 解： (1) 用均方根速度作为热运动平均速度的近似值 (2) 利用迁移率的表示式μn = qτ / mn ，故平均自由时间τ 为 (3) 平均自由路程 (4) 电子沿与电场相反的方向做漂移运动，漂移速度 结果表明，电子的平均自由路程相当于数百倍晶格间距 (10 – 8 厘米)。说明半导体中电子散射的机构不能用经典理论来说明。 散射若是电子和晶体中原子碰撞造成的，平均自由路程比晶格间距大很多倍就不好理解。据量子理论，原子严格按周期性排列，引起散射的是晶体周期性势场的破坏，并非晶格原