坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响张聪.pdfVIP

68 · · 2013 1 轻 金 属 年第 期 坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响 1 ，2 1 ，2 1 ，2 3 3 ， ， ， ， 张聪 魏奎先 马文会 陈秀华 张俊峰 ( 1． ， 650093; 昆明理工大学冶金与能 源工程 学院真空冶金国 家工程 实验室 云南 昆明 2 ． ， 650093; 云南省 高校硅冶金与硅材料工程研 究 中心 云南 昆明 3． ， 650091) 云南大学物理学与技术 学院 云南 昆明 : ， 摘 要 冶金 法制备 太阳能级 多晶硅所 用石墨坩埚含有不 同类型的金属杂质 这些杂质通常会 降低硅锭 的电阻率和 少 子寿命等电 学性能 。本文研 究 了坩埚表 面改性对冶金 法多晶硅 电阻率和 少子寿命的影响 。通过在不 同冷凝速率条件 ， 。 : 下 对工业硅原料在 改性前后 的坩埚 内提 纯 经对铸锭切片 的电阻率测试得 出 坩埚表 面改性使冶金 法多晶硅锭 的电 ， 20 m / s 110m ·cm 30 m / s 227m ·cm; 阻率得到 了明显的提高 电阻率的最高值由原来冷凝速率为 μ 时的 Ω 提 高到 μ 时 Ω : 20 m / s ， 经对铸锭切片 的少子寿命测试得 出 冶金 法多晶硅 的少子寿命在冷凝速率 μ 时最 高 坩埚表 面改性使 少子 寿命 由原来的 0. 81μs 提 高到 1. 91μs 。 : ; ; ; ; 关键词 表 面改性 冶金 法 多晶硅 少子寿命 电阻率 中图分类号:TK511 ，TG249 文献标识码:A 文章编号:1002 1752 ( 20 13) 0 1 68 5 Effect of crucible surface modification on the electrical properties of multicrystalline silicon using metallurgical route Zhang Cong1，2 ，Wei Kuixian1，2 ，Ma Wenhui1，2 ，Chen Xiuhua3 and Zhang Junfeng3 (1．