《不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征》.pdfVIP

2004年第62卷 化学学报 V01．62，2004 第19期，1948～1950 ACTACⅢMICASINICA No．19，1948～1950 ·研究简报· 不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征 颜肖慈虬n 罗明道。 曾 晖n 张高勇o．6 (。武汉大学化学与分子科学学院武汉430072) (6中国日用化学工业研究院太原030001) 摘要用从头算法RHF／6—31G+和On“ager溶剂模型分别优化了不同疏水端基表面活性剂阴离子溶剂化前后的几何构型， 得到气态和溶剂化的总能量、电荷分布、偶极矩、极化能等．比较了它们溶剂化前后的构型变化和电子结构特征．在RttF／6— 31G+平台上探讨了不同疏水端基影响阴离子表面活性剂表面张力的内在原因． 关键词不同疏水基表面活性剂，从头算，Onsager模型，表面张力