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超精密表面抛光材料去除机理研究进展_徐进.pdf
第49 卷 第 17 期 2004 年9 月 评 述
超精密表面抛光材料去除机理研究进展
徐 进 雒建斌 路新春 张朝辉 潘国顺
(清华大学摩擦学国家重点实验室, 北京100084. E-mail: jinxu618@163.com)
摘要 化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术,
在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration,
简称 ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现
状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提
出了材料去除机理的研究方法.
关键词 CMP 材料去除机理 磨损 ULSI 计算机硬盘
在电子产业中, 起先导作用的两个行业是微电 以期在揭示超精密表面材料去除机理及抛光工艺研
子产品和计算机制造. 它们相辅相成, 相互促进, 使 究中具有借鉴意义.
得其高速发展, 呈现出高集成度和高性能化的发展 1 集成电路(IC)制造中的CMP
趋势, 从而对许多部件表面提出了前所未有的特殊 1.1 硅片
要求. 如计算机硬盘要实现 77.5~155 Gb/cm2 的存储
硅衬底片CMP 是获到高平整度、无缺陷和高反
密度, 要求盘片的表面波纹度W 0. 1 nm , 粗糙度
a 射表面的一个基本工艺过程, 抛光质量直接影响击
R 0.05 nm. 另外, 大规模集成电路的线宽不断下降,
a 穿特性、界面态和少子寿命, 对后续制造工艺质量起
并向结构立体化、布线多层化发展. 根据美国微电子
决定作用. 早在1990 年, Cook[8]就提出材料的去除是
[1]
技术发展构图 , 特征线宽到 2011 年将减小到 0.05
由于随抛光液流动的研磨颗粒压入 Si 片表面的机械
m, 同时将开始使用450 mm 晶片. 并要求如此大尺
犁削作用, 并表明Si 片CMP 中化学作用材料去除过
寸晶片表面具有纳米级面型精度和亚纳米级表面粗
程取决于Si 表面形成的SiO 层和颗粒与抛光液中的
糙度, 同时要保证表面和亚表面无损伤, 已接近表面 2
水和化学剂之间的相互作用. 借助于TEM分析Si(100)
加工的极限. 要实现如此尖端的技术突破, 必须深入
[2] 片抛光表面和剖面, 可以证实硅表面塑性切削/ 剪切
探讨超精密抛光表面加工材料去除机理 . 作为新一
及表面氧化产物的机械去除, 同时还观察到在抛光
代超精密表面制造方法之一——化学机械抛光(CMP) [9]
过程中抛
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