CdSeZnSeZnS多壳层结构量子点的制备与表征.pdfVIP

第 30卷 　第 6期 发 　光 　学 　报 Vol30 No6 2009年 12 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE D ec. , 2009 文章编号 : (2009) 060842 05 Cd Se / Zn Se / Zn S多壳层结构量子点的制备与表征 1, 2 1 1, 2 1 1, 2 1, 2 张庆彬 , 曾庆辉 , 郑金桔 , 孔祥贵 , 曲玉秋 , 宋 　凯 ( 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室 , 吉林 长春 　130033; 2. 中国科学院 研究生院 , 北京 　100049) 摘要 : 展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线 。在含有过量 Se源的 CdSe体系中直接注入 Zn 源 , “一步 法 ”合成了 CdSe / ZnSe 量子点 ;进一步以 CdSe / ZnSe 为 “核 ”,表面外延生长 ZnS壳层制备了核 /壳 /壳结构 CdSe / ZnSe / ZnS量子点 。相对于以往报道的多壳层结构量子点的制备方法 ,该方法通过减少壳层的生长步骤 有效地简化了实验操作 ,缩短了实验周期 , 同时减少对原料的损耗 。对量子点进行高温退火处理 ,能够大幅 提高 CdSe / ZnSe / ZnS量子点的发光量子产率 。透射电镜 、XRD 以及光谱研究表明:所制备的量子点接近球 形 ,核与壳层纳米晶均为闪锌矿结构 ,最终获得的 CdSe / ZnSe / ZnS量子点的光致发光量子产率达到 53% 。为 了实现量子点的表面生物功能化 ,通过巯基酸进行了表面配体交换修饰 ,使量子点表面具有水溶性的羧基功 能团 ,并且能够维持较高的光致发光量子产率 。 关 　键 　词 : CdSe / ZnSe / ZnS量子点 ; 外延生长 ; 配体交换 中图分类号 : O482. 31　　　PAC S: 78. 55. Et　　　PACC : 7855E　　　文献标识码 : A ZnSe / ZnS等多壳层量子点能够有效地减缓界面 1　引　　言 处的晶格突变 ,降低界面处两种晶格的应力 ,从而 半导体量子点由于具有优良的光学和电子学 达到减少缺陷 。提高了其光稳定性和光致发光量 性能 ,在发光二极管 [ 1～4 ] , 半导体激光器 [ 5, 6 ] , 生 子产率的目的[ 15, 16 ] 。但是 , 目前发展的多壳层量 物医学检测 [ 7～10 ] 等领域的应用研究受到了人们 子点制备方法 , 由于制备过程步骤较多 ,不仅存在 广泛地关注 。其中 CdSe 纳米晶是人们研究最多 操作复杂和实验周期长等缺点 ,并且多步反应浪 的量子点 。尺寸可调的发光特性使其发光范围覆 费反应原料 。因此 ,有必要发展新的多壳层量子 盖从蓝光到红光的整个可见区 ,并且具有宽的激 点制备技术 ,在减少反应步骤和原料损耗的同时 发范围和相对较窄的发射半峰全宽 , 以及高的发 制备结构缺陷少 、高产率的发光量子点 。 光量子产率 [ 11 ] 。但是 ,裸核 CdSe 量子点容易受 本文建立了以 “一步法 ”合成的 CdSe / ZnSe 到外界环境影响而导致其发光猝灭 , 因此在 CdSe 量子点为 “核 ”,表面生长 ZnS壳层的方法 ,制备 量子点表面外延生长晶