半导体器件材料物理基础.ppt

半导体材料的基本特性参数 基本特性参数 禁带宽度Eg 临界雪崩击穿电场强度Et 介电常数ε 载流子饱和速度Vs 载流子迁移率μ 载流子密度n(p) 少数载流子寿命τ 第一节 迁移率 迁移率的定义 载流子迁移率与器件特性 载流子迁移率的影响因素 载流子迁移率的定义 载流子迁移率μ: 自由载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。 弱电场下，μ为常数； 强电场下，μ随电场增加而减小 载流子迁移率与器件特性 载流子迁移率μ是决定半导体材料电阻率ρ大小的两个重要参数之一。 电流承受能力和载流子迁移率有关 双极器件pn 结二极管为例，在外加电压U作用下，电流密度j满足肖克莱方程 载流子迁移率与扩散系数的关系 爱因斯坦关系 载流子迁移率与器件的工作频率 双极晶体管频率响应特性最重要的限制，是少数载流子渡越基区的时间 载流子迁移率大小的影响因素 散射对载流子的迁移率具有重要影响 主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射等体材料中载流子散射以及表面散射 晶格振动的散射 用电子和声子相互作用来描述。 在轻参杂时，占主导地位。 载流子被晶格散射过程，可