GaN基高亮度白光发光二极体.pptVIP

本文观看结束！！！ 本文观看结束！！！ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * GaN基高亮度白光發光二極體 ---照明領域的又一次革命 葉國光 半導體發光二極體及其發展歷史 發光二極體Light-EmittingDiode 是由數層很薄的摻雜半導體材料製成。當通過正向電流時，n區電子獲得能量越過PN結的禁帶與p區的空穴複合以光的形式釋放出能量。 發光效率lm/w 12.5 55 發光二極體的發展 年代 發光顏色 材料 發光效率lm/w 1965 紅 Ge 0.1 1968 橙、黃 GaAsP 1 1971 綠 GaP 1 80年代 紅 AlGaAs 10 90年代初 紅、黃 GaAlInP 100 90年代 藍、綠 GaInN 50 90年代 藍 GaN 200 第三代GaN半導體材料特點 寬頻隙化合物半導體材料，有很高的禁帶寬度（2.3 —6.2eV)，可以覆蓋紅、黃、綠、藍、紫和紫外光譜範圍 ，是到目前為止其它任何半導體材料都無法達到的 高頻特性，可以達到300GHz（矽為10G，砷化鎵為80G） 高溫特性，在300℃正常工作（非常適用於航太、軍事和其它高溫環境） 電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好 耐酸、耐鹼、耐腐蝕（可用於惡劣環境） 高壓特性（耐衝擊，可靠性高） 大功率（對通訊設備是非常渴望的） GaN固體光源的應用