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密级：
应力作用下ZnO光电性质研究
Investigation On Electronic and Optical Properties of ZnO Under Stress
学 院：信息科学与工程学院
专 业 班 级：
20 年 6 月
毕业设计(论文)指导教师审阅意见
评语：
指导教师： 毕业设计(论文)评阅教师审阅意见
评语：
评阅教师：
毕业设计(论文)答辩成绩评定
专业毕业设计(论文)第 答辩委员会于 年 月 日审定了 班级 学生的毕业设计(论文)。
设计(论文)题目：
设计(论文)说明书共 页，设计图纸 张。
毕业设计(论文)答辩委员会意见：
成绩：
专业毕业设计(论文)答辩委员会
主任委员 ：
ZnO是一种多功能氧化物材料，在光电、压电、压敏、热电等各个领域都具有优异的性能，特别是作为一种宽禁带半导体光电材料，在光电器件中具有很好的应用前景。本文的计算均采用第一性原理赝势和正交化平面波展开方法，研究在不同压力下锌矿ZnO的能带结构、态密度和光学性质。具体结果如下：
gamma点处，直接带隙3.228eV。
二、研究流体静压力下ZnO的，ZnO在外压作用下能带峰发生了小的劈裂，并向背离费米面方向移动，带隙展宽。ZnO的介电响应将向高频段转移，这样可以考虑通过施加外力作用达到改变ZnO电学性能的目的，改善其应用范围，用作nm级别的力学传感器。
、轴应力对于电子能带结构和光学性质的影响。通过模拟计算我们发现：随着单轴应力的增加价带顶向低能方向移动，导带底向高能方向移动，带隙逐渐变大与静压力相比，单轴应力对于纤锌矿ZnO的禁带宽度的调节作用更显著，单轴应变为器件设计提供了更大的灵活性。
关键词：氧化锌；第一性原理；应力应变；能带结构；光学性质
Abstract
ZnO is a kind of multi-functional oxide material, it has excellent performance in the electro-opticalpiezoelectric,pressure-sensitive,thermoelectric and other fields. Especially as a kind of wide bandgap semiconductor photoelectric material, it has the very good application prospect in optoelectronic devices. Calculation of this paper adopts the first principle and orthogonalization turns potential plane wave expansion method, study band structure, density of states and optical properties of wurtzite ZnO under the different pressure. The detail results are as follows:
First, the wurtzite ZnO lattice constant, band structure, bond length and density of states were calculated. It can be concluded that theory prediction of ZnO is a direct band gap semiconductor materials, top of valence band and bottom of the conduction band is located in the center of the brillouin zone gamma point, direct band gap of 3.228 eV.
Second, the optical properties of ZnO was stu
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