纳米结构电荷俘获材料及其高密度多值存储基础研究.docVIP

项目名称： 纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究 张满红 中国科学院微电子研究所 2010年1月-2014年8月 中国科学院 本项目在研究内容的确立上紧密围绕新一代CTM存储材料和高密度多值存储中的关键科学问题与技术，以解决国家重大战略需求、获得自主知识产权为宗旨，将关键新材料、器件机理、模型研究、兼容芯片制造工艺的高密度集成、新结构多值存储设计与模拟研究等有机地结合起来，使各方面的研究工作既具有明确的目标，同时又相互紧密联系，形成下一代新型存储器完整的系统研究，为我国在相关领域的可持续发展，参与国际竞争奠定基础。围绕上述科学问题，本项目将重点开展以下几方面的研究工作： 1）纳米结构电荷俘获存储材料 探索满足隧穿、俘获存储及阻挡等多方面功能要求并与下一代存储器技术工艺兼容的纳米结构多层复合栅结构材料体系，获得高可靠的电荷俘获存储材料、隧穿介质材料和阻挡层栅介质材料，解决不同材料之间的界面问题及复杂能带匹配问题。同时为了与复合栅介质兼容，开展与之匹配的金属栅材料的研究。解决栅结构体系与Si沟道材料及金属栅材料的界面问题。通过研究多层复合栅结构材料中的复杂能带匹配问题构造合理的能带结构，从而提高电荷俘获存储的可靠性，并实现复合栅结构材料体系的优化设计。研究新材料的制备工艺技术、材料与工艺的整合技术、材料的热电机械稳定性问题，并研究多层介质材料的工艺匹配问题及兼