新模拟电子技术基础 教学课件 武小红 3 场效应管及其基本放大电路.pptVIP

3.1 场效应管 2．结型场效应管的特性曲线 3.1.2 绝缘栅型场效应管 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线，如图3-12所示。 3.1.3 场效应管的主要参数 3.1.4 场效应管与晶体管的比较 3.2.1 场效应管放大电路的静态分析 2．共源放大电路 3．共漏放大电路 4．共栅放大电路 3.2.3 JFET基本放大电路 图3-18 共漏放大电路 求输出电阻的等效电路如图3-19所示。 图3-19 求Ro等效电路 由于栅极电流=0，故 图2-17b) 简化H参数等效模型 共栅放大电路的静态分析与共源放大电路相同。 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 场效应管 3.1 场效应晶体管放大电路 3.2 第3章 场效应管及其基本放大电路 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，除了具有晶体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点外，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等特点，因此得到了广泛的应用。 。 场效应管与晶体管的主要区别是：①场效应管仅靠半导体中的多数载流子（电子或者空穴）导电，又称单极型晶体管；②场效应管是一种由输入电压控制其输出电流大小的电压控制型器件，它的输入阻抗高达107～1014Ω。场效应管的主要缺点是放大能力较低。 按结构的不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效管（IGFET）两大类。 根据沟道类型的不同，结型场效应管可为N沟道和P沟道两种类型。图3-1中，在一块N型半导体两侧扩散生成两个高掺杂浓度的P+区，从而形成两个P+N结。P+区与N区交界面形成耗尽层，两个P+N结的耗尽层之间的Ｎ型区域称为导电沟道。 3.1.1 结型场效应管 1 结型场效应管结构及原理 图3-1 N沟道结型场效应管 图3-2 P沟道结型场效应管 N沟道结型场效应管正常工作时，应在其栅－源之间加反向电压（即uGS0），使PN结反偏；当在漏－源之间加正向电压（即uDS0）时，在导电沟道内形成了漏极电流iD。 当uDS=0时，uGS对导电沟道的控制 当uDS=0且uGS=0时，两个P+N结均处于零偏状态，导电沟道很宽且沟道等宽，如图3-3（a）所示。 当UGS(off) uGS 0时，两个P+N结均处于反偏状态，随着的增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大，导电能力下降，如图3-3（b）所示。 当增大到某一数值时，沟道两侧耗尽层相遇，导电沟道消失，称为“夹断”，沟道电阻趋于无穷大，此时的uGS值称为夹断电压UGS(off)，如图3-3（c）所示。 图3-3 uDS=0时uGS对导电沟道的控制作用 （a）uGS=0 （b）UGS(off) uGS 0 （c）uGS=0 当UGS(off) uGS 0时，漏源电压uDS对导电沟道的控制 当UGS(off) uGS 0时，若uDS=0，则uGS变化时，导电沟道的宽度发生变化，导致导电沟道电阻变化。但是，由于漏极和源极之间电压uDS=0，则导电沟道内的自由电子不会产生定向运动，所以漏极电流iD=0。 当uGD=UGS(off)时，则漏极一边的导电沟道闭合，如图3-4（b）所示。 当UGS(off) uGS 0时，若uDS0，则uGS 0使耗尽层变宽，导电沟道变窄；uDS0使导电沟道不等宽。随着 的增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大，在同样的uDS作用下所产生的电流iD减小。 ，当uDS逐渐增大时，uGD逐渐减小，导致靠近漏极一边的导电沟道比靠近源极一边的窄，如图3-4（a）所示。 若uDS继续增大时，则uGDUGS(off) ，耗尽层闭合部分沿沟道方向延伸，如图3-4（c）所示。当uDS增大时，iD几乎不变。 图3-4 UGS(off) uGS 0 且uDS0时对导电沟道的控制作用 （a）uGDUGS(off) （b）uGD= UGS(off) （c）uGDUGS(off) 当uGD=uGS–uDSUGS(off) 时，在uDS为常量的情况下，对于确定的栅源电压uGS就有确定的漏极电流iD。iD仅仅取决于uGS而与uDS无关。体现了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用。因此可以通过uGS来控制iD的大小。 当uGDUGS(off)时，uGS对导电沟道的控制 结型场效应管的输出特性曲线可以划分为四个区：可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。 （1） 输出特性曲线