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任务1 常用电子器件的测试与判断 半导体分立器件是构成电子电路的核心器件,它们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。语音放大器是由许多电子元器件构成的,如二极管、晶体管、电阻、电容等。因此需应掌握常用电子器件的结构、原理及识别方法。 相关知识 1)半导体材料的特点。 2)半导体二极管、晶体管、场效应晶体管的结构、基本特性、主要参数及应用。 3)半导体二极管、晶体管、场效应晶体管的检测方法。 任务1 常用电子器件的测试与判断 自然界中的物质,按其导电能力可分为导体、半导体和绝缘体。 本征半导体: 无杂质的纯净单晶半导体称为本征半导体。 任务1 常用电子器件的测试与判断 3.本征半导体的热敏特性和光敏特性 (1)热敏性 半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。 4.本征半导体的掺杂特性 掺杂特性: 半导体的导电能力因掺入少量合适的杂质而发生很大的变化。 1.1.2 PN结 单纯的一块P型半导体或N型半导体,只能作为一个电阻元件。但是如果把P型半导体和N型半导体通过一定方法结合起来就形成了PN结。PN结是构成半导体二极管、半导体晶体管、晶闸管、集成运算放大器等众多半导体器件的基础。 1.PN结的形成 动画演示 2.PN结的导电特性 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 特殊二极管介绍 稳压二极管的主要参数 2.发光二极管 3.光敏二极管 4.变容二极管 5.激光二极管 1.2.5 半导体二极管的应用 利用其单向导电性及导通时正向压降很小的特点,二极管有以下应用: 1.整流 将交流电变成脉动直流电。 利用二极管的单向导电性可组成单相和三相整流电路,再经过滤波和稳压,就可以得到平稳的直流电。整流部分的内容在后面还要详述。 2.钳位 3.限幅 4. 保护元器件 例1-1 图1-14为语音放大器的输入电路,试分析电路中各元器件的作用。 1.2.6 半导体器件的型号及二极管性能的判别 第一部分 用汉语拼音字母表示规格号 第二部分 用阿拉伯数字表示序号 第三部分 用汉语拼音字母表示器件的类型 第四部分 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 第五部分 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 (2)半导体器件型号组成部分的符号及其意义 2.半导体器件手册的查阅方法 (1)已知半导体器件的型号查阅其性能参数和使用范围 。 (2)根据使用要求选择半导体器件 。 3.二极管正、负极和性能的判别 一、判别方法: 识别法:通过二极管管壳上的符号、标志来识别. 检测法:用万用表的欧姆档,量程为R×100Ω或R×1kΩ档测量其正反向电阻 二极管的材料辨别: 一般硅材料二极管的正向电阻为几千欧,而锗材料二极管的正向阻值为几百欧。 二极管的质量好坏辨别: 看它有无单向导电性能,正向电阻越小,反向电阻越大的二极管的质量越好。如果一个二极管正、反向电阻相差不大,则必为劣质管。如果正、反向电阻值是无穷大或都是零,则二极管内部已断路或已被击穿短路。 晶体管的几种常见外形 1.3.2 晶体管的电流放大作用 以NPN型晶体管接成的共射放大电路为例,阐述晶体管的电流放大作用。 所谓共射放大电路是指输入、输出回路的公用端为发射极的电路。 图中,RB称为基极偏置电阻;RC称集电极负载电阻;VCC、VBB的直流电源是为保证晶体管处于放大状态即发射结正偏,集电结反偏的接法。 图内的大箭头表示电子流的流动方向,与电流方向相反。 例1-2 晶体管各极对地的电压如下图所示,试判断各晶体管分别处于何种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏),若处于晶体管处于放大或饱和状态,请判断是硅管还是锗管。 图1-2 1a所示为NPN型管。 UBE =[0.1-(-0.2)]V=0.3V,发射结正偏; UBC =(0.1-6)V=-5.9V,集电极反偏,故该管工作在放大状态,且为锗管。 图1-21b所示为PNP型管。 UBE =(0.3-1)V=-0.7V,发射结正偏; UBC =[0.3-(-0.2)]V=2.3V,集电结反偏,故该管工作在放大状态,且为硅管。 图1-21c所示为NPN型管。 UBE =[-3-(-2)]V=-1V,发射结反偏; UBC =(-3-0)V=-3V,集电结反偏,该管工作在截止状态 图1-21d所示为PNP型管。 UBE =(5.3-6)V=-0.7V,发射结正偏; UBC =(5.3-5.5)V=-0.2V,集电结正偏,该管工作在饱和状态,硅管。 图1-21e所
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