新电工电子技术及应用 教学课件 全安 第7章半导体器件.pptVIP

7.1 半导体二极管及应用 7.2 半导体三极管及应用 7.3 场效应晶体管 7.3 场效应晶体管 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成 G D S N+ N+ P 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结；UDS之间加上电压也不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0。 源极S 栅极G 漏极D UGS=0 衬底B B 7.3.2 场效应晶体管的工作原理 7.3 场效应晶体管 G D S N+ N+ P UGS UDS ID 当 0 UGS UTH开启电压)时，GB 间的垂 直电场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)，但负离子不能导电。 当 UGS＞UTH（开启电压）时，衬底中电子被吸引到表面，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 结论 截止： UGS = 0 或UGS UTH 导通： UGS＞UTH 7.3 场效应晶体管 （1）跨导gm （2）开启电压UTH或夹断电压UGS（off） （3）饱和漏电流IDS （4）栅源击穿电压U(BR)GS （5）漏源击穿电压U(BR)DS （6）最大耗散功率PDM 7.3.3 场效应晶体管的主要参数 7.3 场效应晶体管 场效应晶体管与晶体管比较，有以下特点： （1）是电压控制方式，即UGS控制ID。 （2）输入电阻很大，MOS管一般在(108~1015)Ω之间。 （3）