《沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiN_x：H薄膜特性的影响》.pdfVIP

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao) June Acta脚 ．一C ．Sin．2011，27(6)，1531—1536 153l [Article] www．whxb．pku．edu．cn 沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiN：H 薄膜特-I生的影响 闻震利 曹晓宁 周春兰 赵 雷 李海玲 王文静 r中国科学院电工研究所，太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京 100190) 摘要：利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积 (PECVD)设备在P型抛光硅片表面沉积 SiN：H薄膜，研究沉积温度对SiN：H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性