新半导体器件物理 教学课件 顾晓清 王广发 二.pptVIP

练习 简单描述P-N结制作方法和杂质分布之间的关系。 什么是空间电荷区？ 什么是势垒区？ 什么是耗尽层？ 内建电场是如何形成的，方向如何？ 试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。 试概括平衡时的P-N结有哪些特点。 练习 4-1. 当P-N结外加正向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场______（相反/一致），导致势垒区总的电场强度______（增强/减弱），这说明空间电荷数量______（增多/减少），也就意味着势垒区宽度______（增大/减小），势垒高度______（增大/减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动______（大于/小于）扩散运动，形成______（净扩散/净漂移），以致势垒区边界载流子浓度______（大于/小于）该区内部，从而在Ｎ区形成______（从Ｎ区势垒边界向Ｎ区内部／从Ｎ区内部向Ｎ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移），在Ｐ区形成______（从Ｐ区势垒边界向Ｐ区内部／从Ｐ区内部向Ｐ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移）。 作业 P55 2（补充订正）、3、5 表面对反向漏电流的影响 主要表现在以下三个方面 表面漏电流。 P-N结沟道漏电流。 表面复合电流。 引起上述差别的主要原因有： （1）表面效应；（已介绍） （2）势垒区中的产生和复合； （P46 自学） （其中产生已介绍） （3）大注入条件；（c段） （P47 自学） （4）串联电阻效应。（d 段） 练习 反向偏压下，硅P-N结电流偏离理想方程的原因是什么？ 为什么锗P-N结在反偏情况下，伏安特性与理想方程符合比较好？ 正偏P-N结实际伏安特性和理想情况的偏差表现在哪些方面？ P55 6 反向偏压的绝对值增大，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 反向偏压的绝对值减小，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 正向偏压增大，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ 正向偏压减小，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ 发生P-N结击穿的机理主要有以下几种 雪崩击穿 隧道击穿 热电击穿(热击穿) 自学 P52 2.5.4 雪崩击穿电压VB的计算 P53 2.5.5 影响雪崩击穿电压的因素 练习 试分析雪崩击穿和隧道击穿的区别。 P55 7 可用哪些方法来提高雪崩击穿电压？ 雪崩击穿和隧道击穿的主要区别 隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场；雪崩击穿除了与电场有关外,还与空间电荷区宽度有关。 雪崩击穿是碰撞电离的结果，如果用光照等其他办法，同样会有倍增效应；而上述外界作用对隧道击穿则不会有明显的影响。 隧道击穿电压随着温度的增加而降低，温度系数为负数；而雪崩击穿电压随着温度的增加而增加，温度系数为正数 。 影响P-N结电流电压特性 偏离理想方程的各种因素 实验测量表示，理想的电流电压方程式和小注入下锗P-N结的实验结果符合较好，但与硅P-N结的实验结果偏离较大。由图看出，在正向偏压时，理论与实验结果间的偏差表现在： (1)正向电流小时，理论计算值比实验值小； (2)正向电流较大时，曲线c段J-V关系为J~exp[qV/(2k0T)]； (3)在曲线d段，J-V关系不是指数关系，而是线性关系。 （1）正向电流小时，理论计算值比实验值小； （2）正向电流较大时，曲线c段J-V关系为J~exp[qV/(2k0T)]； （3）在曲线d段，J-V关系不是指数关系，而是线性关系。 2.4 P-N结电容 P-N结有整流效应，但是它又包含着破坏整流特性的因素。这个因素就是P-N结的电容。 一个P-N结在低频电压下，能很好地起整流作用，但是当电压频率增高时，其整流特性变坏，甚至基本上没有整流效应。这是因为P-N结具有电容特性。 讨论： P-N结为什么具有电容特性？ P-N结电容的大小和什么因素有关？ P-N结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。 势垒电容 当P-N结加正向偏压时，势垒区的电场随正向偏压的增加而减弱，势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少。因为空间电荷是由不能移动的杂质离子组成，所以空间电荷的减少是由于N区的电子和P区的空穴过来中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主。 这就是说，在外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区。反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这就是由一部分电子和空穴从势垒区中