集成电路设计第9部分.ppt

非光学曝光技术 本章主要内容 电子束光刻 电子束直写 限散射角电子束光刻 X射线光刻 第一代PXL 第二代PXL技术 纳米压印技术 下一代光刻技术（NGL） 光学光刻技术通过提高数值孔径、利用短波长光源、移相掩模技术、光学邻近校正等技术获得发展。 但成本较高，一套利用光学邻近校正技术的光刻掩模就需要200万美元。且只能生产2000~3000片晶圆。 由此需要考虑下一代光刻技术（NGL），统称为非光学光刻技术。 下一代光刻技术之光源 下一代光刻技术主要考虑两种能源：X射线；电子束。其波长很短，衍射效益不再对光刻分辨率起决定作用。 但是高能量能源对掩模版提出了很高的要求。 解决方案： 无掩模电子束直写 薄膜型掩模版——接近式X射线光刻，投影式电子束光刻。 反射掩模版——投影式X射线光刻。 一、直写电子束光刻系统 电子束光刻系统可以用来制造光刻掩模版，也可以用来直接产生图形。 大部分直写系统使用小电子束斑，相对晶圆片移动，一次对图形曝光一个像素。 具有光栅扫描和矢量扫描两类方式，电子束几何形状可以固定，也可以改变。 直写系统对电子束的要求 高强度（亮度），高均匀性，束斑小，稳定性好，寿命长。 亮度的测量单位是每立体角弧度、每单位体积的安培数。 电子束的发射方式： 阴极加热，电子从阴极逸出—热电子发射。 利用大电场发射--场助发射。 加热和施加大电场---热场助发射。 利用光照发射电子---光发射。 电子束的发射方式 热电子源 热电子源亮度高，可以选择蒸发小的灯丝材料延长使用寿命。 电子流被加速，然后收集，收集到的电子能量强度就是电子束的亮度。 多数热电子源使用材料：钨、含钍的钨、六硼化镧。 热电子源灯丝材料 钨灯丝可以在0.1mTorr下工作，电流密度大约0.5A/cm2。亮度小于2×104A/(cm3×sr)。 含钍的钨阴极在同样的灯丝电流下亮度低一些，需要更高的真空（0.01mTorr），但电流密度可以达到3A/cm2。 六硼化镧阴极最为流行。电流密度可超过20A/cm2而亮度接近106A /(cm3×sr) ，但真空要求高，需达到10-6Torr。但必须采取措施保护，避免突然失去真空。 热电子源灯丝材料（续） 灯丝电子流源的重要参数是标称大小或者叫截面直径。金属灯丝产生的束流很宽，聚焦比较困难。 典型的六硼化镧源，截面直径约10μm，即使具有很大的电流密度，亮度也要大幅降低才能实现深亚微米的分辨率。 Zr/ W/O材料在混合气体(90%的N2和10%的H2)中退火，用于有热场辅助的发射枪，截面直径小于20nm，可以达到10nm的束斑，1000A/cm2的电流密度。 电子束流的整形 电子流产生后，需要整形成窄的束流。一般采用2-3组静电透镜、多种消影装置、刀口等实现。 最终束斑直径： 其中：dc是球面像差，ds是由于非零能量分布引起的色差，d0是理想透镜的直径。 d受电子流源的有效尺寸和空间电荷效应的限制。 典型电子束系统剖面图 EBL中利用掩模板改善系统产量 绝大多数EBL系统使用高斯束流，束流强度从中心起，沿半径方向的变化接近高斯分布。 为改善电子束光刻产量低的缺点，结合直写、投影两种光刻技术，形成一定形状的束流，研制出专用EBL系统。 掩模板只有很少的预先做好的几何图形，多次重复使用。 掩模板包括一个空白区，电子束流通过空白区形成非标准几何图形。 EBL中利用掩模板改善系统产量 束流成形提高产量 产生可变形状电子束的方法提高产量。电子束流被方形光阑拦截掉一部分，通过改变偏转量大小，改变线条的宽度和长度。即x，y方向的整形分别进行。 静电透镜转动可以用来产生与主轴成45°（或其他任意角度）的矩形。绝大部分微电子电路图形由矩形组成，这样可以有效实现EBL。 大量的像素可以同时曝光，但线宽控制较难！产量显著上升。 束流成形提高产量 曝光矩阵 光栅法提高产量 光栅扫描被用在第一代EBL中，包括贝尔实验室的EBES。 电子束首先通过一对留有间隔的电极板，使电子束偏转而被阻断。 另一对偏转板驱使电子束实现扫描。同时载物台可以实现在垂直于电子束方向上的平面上位移。 电子束束斑大小是最小特征尺寸的1/2~1/5。 光栅扫描和矢量扫描 光栅扫描和矢量扫描（续） 光栅扫描每一像素都需要扫描到，曝光时间与图形形状无关，电子束由快门控制，在对象上扫描。 矢量扫描由图形决定扫描通道，只对需要曝光的芯片部分进行扫描。需要曝光的位置参数传给数模转换器，控制电子束只在需要曝光的区域曝光，利用软件将扫描区域排序，优化系统扫描时间。 矢量扫描图形地址的精度简单的取决于数模转换器的字长， 利用高速、宽字长的转换器，就可以曝光极小的格点。 电子束曝光的邻近效应 电子束光刻的分辨率取决于电子束束斑尺寸大小以及电子束