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涂覆法制备铜铟镓硒CIGS薄膜太阳能电池 南开大学光电子所 摘 要：涂覆法具有低成本、清洁、简单、不会引人杂质等优点。本文介绍了涂覆法制备铜铟镓硒CIGS薄膜太阳能电池工艺：溶液配置，旋转涂覆，热处理成膜。用涂覆法制备的CIGS薄膜结晶质量良好，元素分布均匀。在CIGS/Mo界面有MoSe2形成。IBM公司用涂覆法制备出最高效率15.2%的CIGS电池，并将此电池与ZSW制备的20.3%电池做了比较分析。 关键词：涂覆法；铜铟镓硒；CIGS；太阳能电池 引言 全球能源需求不断增多，环境污染和温室效应越来越严重，清洁可再生能源是解决这些问题的最终途径。在所有可再生能源中，太阳能作为储量丰富的清洁能源是极其重要的。然而，由于现在太阳能电池板价格高，太阳能在日常能源所占比例很小。现在，光伏市场主要是晶体硅电池。但是，硅是间接带隙材料，光吸收系数低，为了有效的吸收太阳光谱，吸收层比较厚（100μm量级）。为了减少吸收层复合损失，需要用高纯硅晶圆来制备传统的硅基光伏电池。另外，晶硅制造技术依赖于高温真空工艺。由于昂贵的设备和复杂的工艺，组件成本很难降低。于此相反，铜基薄膜CuInSe2、CuInS2、Cu(In,Ga)(Se,S)2和Cu2ZnSn(Se,S)4是直接带隙材料。它们的吸收系数很高，只需要很薄（1-2μm）的厚度就可以吸收大部分太阳辐射。另外，CIS/CIGS效率高、稳定性好