si衬底gan功率型led芯片性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 发展已经超过60年。GaN基LED是市场的主力，主要的成员是蓝光和绿光LED， 还包括使用荧光粉获得的白光LED。大功率LED适合高亮度方面的应用如汽车 前灯、大面积显示屏和普通照明等。目前GaN基大功率LED在芯片性能方面已 经优于传统的LED，但其制作过程仍需优化。本论文主要研究了Si衬底GaN基 蓝光LED芯片的一些性能：可靠性，结温特性，高注入电流下效率下降(efficiency droop)现象，得到了如下研究结果： 光性能进行了研究。老化后的光功率随时间的变化分先升后降两个阶段。老化 前后I．V曲线结果显示，反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加。测 试了老化前后不同电流密度下LED的EQE和光衰，发现老化前后EQE衰减幅 度与注入电流密度关系密切，在2．0A*cm‘2电流密度处EQE有最大值，同时也 光功率下降仅3．8％，说明硅衬底LED芯片具有较高的可靠性。 2．基于电学测量法研究了正向电压与温度之间的线性关系，此线性关系可 用于LED结温的测量。 3．蓝光和绿光LED的光功率与工作环境和驱动条件有密切的关系。在小电 流区域随着温度的升高L．I曲线由线性转换为超线性。在300K的温度下随着驱 动电流增加时，L．I由超线性转换为次线性。随着温度的降低，LED的EQE峰 值出现即效率下降现象发生的电流密度在单一下降；在高电流密度下，100K温 可归结为电子泄漏。 关键词：si衬底；GaN；LED；可靠性；结温 II Abstract ABSTRACT The of occurredovera of developmentlight-emittingdiodes(LEDs)hasperiod over60 withthe ofthefirst blueGaN-based discovery years，beginning p-njunction LEDin1989．TheGaN—basedLEDisthe oftheLED formsthe linchpin market，it in andblue wellas thefoundationfor keyingredientgreen emitters，asproviding whiteLEDs LEDissuitablefor employingyellowphosphors．High power high luminance likeautomotive and applications headlights，large-areadisplaysgeneral illumination．Anew GaN—basedLEDhas developedhighpower shown great overtraditionalLEDinthedevice thefabrication advantages performanc