氢化非晶硅薄膜备及其微结构和光电性能研究.pdf

摘要 摘要 氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜具有光吸收率较高、电阻温度系数较大、与Si半 导体IC工艺兼容等特点，在微测辐射热计、太阳能电池、医疗仪器等领域具有广 泛的应用前景。然而，a-Si：H薄膜导电性及电学性能稳定性较差的问题至今没有 得到根本解决。因而，当前及今后的研究重点主要围绕高品质、高稳定性a-Si：H 薄膜制备技术及性能优化而开展。 薄膜，借助多种现代分析测试方法，研究了基片温度、硅烷气体温度、N掺杂等 对a-Si：H薄膜微结构、光学、电学等特性的影响；研究了电子束辐照过程中辐照 剂量和入射电子初始能量对P重掺杂a-Si：H薄膜结构和性能的影响；对薄膜微结 构和性能之间的关系进行了深入分析。本文取得的重要结论和创新性研究成果如 下： (1)随着基片温度的升高，a-Si：H薄膜的表面形貌得到改善，非晶网络有序 程度得到一定程度的提高，多氢硅化物(SiHn)数量减少，薄膜更加致密，从而导 致P掺杂a-Si：H薄膜未成对电子自旋密度降低，薄膜暗电导率提高。 序程度逐步得到改善，薄膜中未成对电子自旋密度降低，薄膜暗电导率得到大幅 度提高。当SiH4气体温度为160。C时，薄膜中以Sill键为主，暗电导率提高了2 个数量级。尽管此时薄膜的TCR绝对值减小了约1．6％厂C，但仍然可以达到 TCR I I磁．0％厂c，表明加热硅烷气体可以制备出质量较优的P掺杂a．Si：H薄膜。 加热相LL4,许多，表明加热Sill4气体温度可使a-Si：H薄膜的电学稳定性得到改善。 入研究，发现从a-Si：H薄膜内部到表面，薄膜非晶网络的短程和中程有序程度逐 步提高。热处理可使薄膜内部的非晶网络结构短程和中程有序程度得到提高，但 只能使薄膜表面非晶网络的中程有序程度得到提高。 H的键合方式及其演变过程，并讨论了其与薄膜性能的关系。当薄膜中H含量 摘要 cH16at．％时，以Sill键为主；当cH16at．％时，则以聚集H原子为主。随着聚集 H原子的增加，薄膜非晶网络有序程度降低，暗电导率随之降低。由于二氢硅化 膜的热稳定性好。 和电学性能变化很小。继续提高N元素掺杂浓度，薄膜中H含量减少，薄膜表面 颗粒尺寸变大，非晶网络有序性明显降低，光学带隙明显变宽，电学性能恶化。 学性能。椭偏反射法与椭偏透射法测得a-Si：H薄膜的微结构和光学参数值相当， 表明透射法也可用于准确测量a．Si：H薄膜的微结构和光学参数。 (7)电子束辐照P重掺杂a．Si：H薄膜容易引起结构损伤和Si．H键断裂。然而， 辐照引起的薄膜结构损伤和电学性能衰退最终趋于饱和，这是由于电子束辐照过 程中存在退火作用。对辐照a-Si：H薄膜进行纵向分析后发现，薄膜表面电学性能 衰退比内部更明显，且薄膜表面的短程和中程有序程度明显低于其内部，结构损 伤和性能衰退主要集中在薄膜表面层。采用较低能量的入射电子进行辐照时， a-Si：H薄膜暗电导率衰退程度更大，非晶网络短程和中程有序程度更低。 关键词：氢化非晶硅薄膜；等离子体增强化学气相沉积：电子束辐照；非晶网络 有序性；光电性能 II ABSTRACT much filmshaveattractedmore silicon(a-Si：H)thin amorphous Hydrogenated andmescal cells foruseinuncooledmicrobolometers，solarapparatus，ere．， attention and