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cis薄膜太阳电池光吸收层的制备与研究
摘要
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IlUllI IIIIII11111II 11111
论文题目：CIS薄膜太阳能电池光吸收层的制备与研究 Y21
28678
学科专业：微电子学与固体电子学
研究生：高杨 签名：声矿
指导教师：马剑平副教授 签名：
摘 要
随着人类社会的不断发展，能源紧缺和环境污染问题已经变得日益严峻，寻找可替代
能源以解决未来人类对能源的需要已成燃眉之急。太阳能作为一种可再生能源日益受到人
们的青睐，开发高效低成本的薄膜太阳能电池材料已经成为人们研究的热点，而具有黄铜
矿相结构的CIS薄膜材料在太阳光伏领域中表现出的优越性越来越突出，典型的CIS薄
cm一，以此作为太阳
之间，与太阳光谱非常匹配，CIS薄膜材料的光吸收系数可高达105
能电池的光吸收层其厚度只需要1岬～2岬，因此CIS薄膜是一种最为理想的高效低成
本太阳能电池光吸收层材料。
EDS、分光光度计、四探针测试仪等薄膜分析手段表征CIS薄膜性能对制备工艺条件的依
赖关系，探索Cu．In金属预置层制备的优化工艺和CIS薄膜的退火工艺条件。
论文采用脉冲磁控溅射技术制备Mo背电极，分析溅射时间、溅射功率等工艺参数对
Mo薄膜厚度、沉积速率及方块电阻的影响，制各出了符合实验要求的Mo背电极。在已
制备的Mo背电极上采用脉冲磁控溅射技术制备Cu．In金属预置层，研究得出了溅射时间
与预置层厚度的关系；用后硒(硫)化方式制备出了CIS薄膜，重点分析了后硒(硫)
化工艺中退火温度与退火时间对CIS薄膜电学性能、光学性能以及薄膜中Cu、In组分比
要求。
关键词：太阳能电池；CIS薄膜；硒化；硫化；退火
本项目得到西安应用材料创新基金(编号：XA．AM．09014)资助。
Abstract
————————————————————————————————————————————————————————————一
Title：PREPARATIONAND
CHARACTERIZATIONOFCISTHIN
FILM
SOLAR
CELLSABSORBER
LAYERS
andSolidstate
Major：Microelectronicselectronics
Gao
Name：Yang atu陀：％鹊6仉·
Sign
Ma
Supervisor：Associate
prof．Jianping slgnatu
re-堂蛾
Abstract
Asthe
environmentaland resourceconcernshavebecome
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