传感器技术 作者 陈建元 第五章 磁敏传感器2.pptVIP

第5篇 磁敏传感器技术 1 霍尔式磁敏传感器 2 结型磁敏器件 3 磁阻式磁敏传感器 4 机械式、感应式与磁通门式磁敏传感器 5磁共振式及超导式磁敏传感器 6光纤磁敏传感器 7微波传感器 1 霍尔式磁敏传感器 。 霍尔磁敏传感器包括霍尔元件和霍尔集成电路。后者是将分立的霍尔元件与放大器电路等集成在一块硅片上所构成的一种IC型结构。它们都是基于半导体材料中电流与磁场相互作用从而产生电动势的霍尔效应原理工作的。 1.1 霍尔效应 如图1.1模型所示，当在长方形半导体片的长度方向通以直流电流I时,若在其厚度方向存在一磁场B,那么在该半导体片的宽度方向就会产生电位差EH，此即霍尔效应。 位于磁场中运动的电子将受到洛仑兹力Fm的作用 ,电子将因受到朝向CD面的洛仑兹力Fm的作用而向右偏转，从而造成CD面电子的堆积，并由此引起AB面空穴的堆积。电荷堆积的结果就是在AB/CD两个面之间建立起一个横向的静电场E,即即为霍尔电场，用EH表示 v是电子的平均运动速度；B为磁感应强度 假设n型半导体片中电子的浓度为n，则流过截面ABDC的电流密度大小为： 则 电流密度J可用流过半导体界面的电流Ic表示为 则 AB/CD两个面之