模拟电子技术基础 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 傅丰林 第3章.pptVIP

场效应管放大器 第3章 目 录 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的参数及特点 3.4 场效应管放大器 3.4 场效应管放大器 3.4.1 直流偏置电路与静态分析 3.4.1 直流偏置电路与静态分析 2．自偏压电路 3.4.1 直流偏置电路与静态分析 例3-3 3.4.1 直流偏置电路与静态分析 3. 混合偏置电路 4．恒流源电路 3.4.2 动态分析 3.4.2 动态分析 (2) MOSFET等效电路 2．共源电路 2．共源电路 2．共源电路 3．共漏电路(源极跟随器) 4．源极接电阻的共源放大器 4．源极接电阻的共源放大器 4．源极接电阻的共源放大器 4．源极接电阻的共源放大器 4．源极接电阻的共源放大器 分析输出电阻的电路如图所示。 3.5 场效应管放大器的频率响应 3.4.2 动态分析 通常有 ,于是 3.4.2 动态分析 3.4.2 动态分析 3.4.2 动态分析 3．共漏电路(源极跟随器) 而 输出电阻等效电路如图所示,由图可知 因此 3.4.2 动态分析 3．共漏电路(源极跟随器) 3.4.2 动态分析 受控电流源支路改为电压源形式 3.4.2 动态分析 其中 由图可知 3.4.2 动态分析 而 输入电阻 因此 3.4.2 动态分析 因此 3.4.2 动态分析 3.4.2 动态分析 5．有源负载场效应管放大器 场效应管有源负载放大器的三种接法 3.4.2 动态分析 5．有源负载场效应管放大器 场效应管有源负载电路 a、b两端等效的交流电阻 3.4.2 动态分析 5．有源负载场效应管放大器 互补MOS有源负载共源放大器 如果忽略 、 输出电阻的影响 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 （1）全增强型NMOS单级放大器 作为 的有源负载 减小负载管的衬调系数，可以提高全增强型NMOS 单级放大器电压增益， 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 （1）全增强型NMOS单级放大器 输出电阻 输入电阻 输入阻抗很高 由于放大器的输入端是栅极和地， 而栅极SiO2绝缘层的电阻率高达 1016 如果忽略 、 的影响 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 （2）增强型-耗尽型NMOS单级放大器 VT2使用了N沟道耗尽型MOS管， 用以提高NMOS放大器的电压增益。 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 全增强型NMOS单级放大器 增强型-耗尽型NMOS单级放大器 因为 约为0.1左右，于是 比 大1个数量级 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 （3）互补MOS （CMOS）单级放大器 P沟道MOS管VT2是N沟道MOS管VT1的有源负载。 CMOS放大器是一种低功耗、高增益、线性和 温度稳定性都很好的放大器。 由于CMOS中有两种性能接近的互补管子，从 而可以大大简化许多模拟电路。可以说CMOS是 MOS模拟电路中比较理想的一种电路形式，因此 在集成电路中得到了非常广泛地应用。 3.4.2 动态分析 6．集成MOS单级放大器 （4）源极跟随器 多数情况有gds1、gds21 类似于晶体管的高频等效电路，需要考虑场效应管 极间电容的影响。 （1）JFET高频等效电路 （2）MOS管高频等效电路 （3）MOS管高频等效电路 (衬源短路） 3.5 场效应管放大器的频率响应 例3-4 一JFET放大器如图所示。已知 试计算 、 以及 。 用密勒定理将 等效。由于输入为恒压源(内阻为零, 则时间 常数为零)，所以输入端总电容 对频率特性没有影响。 3.5 场效应管放大器的频率响应 解： 输出端的总电容 3.5 场效应管放大器的频率响应 放大区： 对应管子预夹断后的状态 特点： 受控放大 uGS ↑ 则 iD ↓ 放大区 3.2.2 N沟道增强型MOS管 （2） 输出特性曲线 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： 固定uGS，uDS↑则iD近似线性↑ -----电阻特性 固定uDS，uGS变化则阻值变化 -----变阻特性 可变电阻区 3.2.2 N沟道增强型MOS管 （2） 输出特性曲线 uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称