《第三章 陶瓷基复合材料制造工艺》.pptVIP

3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 锆熔体与B4C直接反应制取 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 此种工艺中控制反应动力学是非常重要的。因为化学反应的速率决定了陶瓷生长的速度，一般陶瓷生长速率为 1 mm/hr。 所生产的部件尺寸可达 20 cm. 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 简单地说CVI工艺需要： 进气系统； 一个化学气相沉积反应器，其中能够加热基底与导 入反应 气体； 尾气处理系统。 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 实际上这是一种与制备陶瓷材料相似的化学气相沉积方法。 在1200 - 1400 K的温度下： CH3Cl3Si(g) SiC(s) + 3HCl(g) 有的时候还可以用原料气，如