电工电子技术基础 作者 任雨民 第8章.pptVIP

2. 杂质半导体 （1）PN结的形成 1.1.4 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 二极管的单向导电性 8.1.3 二极管的主要及参数特性 主要参数 8.1.4 普通二极管的识别与检测 1、极性的识别方法 常用二极管的外壳上均印有型号和标记，标记箭头的方向为阴极。 有的二极管只有一个色点或色环，有色的一端为阴极。 有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）， 也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。? 2、二极管的检测 ?? 使用万用表测量二极管电阻的大小可以判断其管脚的正负极。 一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。将万用表置于R×100或R×1k(Ω)档位（用R×1(Ω)档电流太大,用R×10k(Ω)档电压太高,两者都易损坏管子）， 将万用表的两只表笔分别接触二极管的两个电极，若测出的电阻约为几十、几百或几千欧，此时电阻值小，则黑表笔所接触的电极为二极管的正极，红表笔所接触的是二极管的负极。 8.1.5 特殊二极管及应用 8.2 二极管整流电路 8.2.2 稳压电路 1.3.2 滤波器 8.2.3 滤波电路 1 电容滤波器 工作原理 8.3 半导体晶体管及特性 2、 三极管的电流放大作用 制造工艺上必须满足以下条件： （1）发射区掺杂浓度远大于基区、集电区的掺杂浓度，以便提供足够多的载流子“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有小电流控制大电流的关键。 （3）集电区比发射区体积大且 掺杂少，以便于形成集电极电流。 8.3.2 三极管的特性曲线 8.3.3三极管的识别与检测 8.4 晶闸管的工作原理 1) 三极管电路的条件： 为了使三极管产生放大作用，两个PN结必须加上正确的电压极性，原则是： 发射结（EB结）—— 正向电压（正向偏压） 集电结（CB结）—— 反向电压（反向偏压） 而且一般要求 |U反||U正| 三极管两个PN结的偏置方法 IC mA ?A V UCE UBE RB IB V + + – – – – + + 2）电流分配关系及电流放大作用：晶体管三个电极上的电流之 间有如下关系： IE = IB ＋ IC 把集电极电流量与基极电流量之比定义为三极管的共发射极直流电流放大系数 ，其表达式为: 1. 输入特性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 1．三极管的识别 根据三极管外壳上的型号,初判其类型， 并根据右图所示的三极管外形特点,初判 其管脚，图中三极管管脚排列方法是一般 规律，对于外壳上有标示标志的，应按标 志识别，对管壳上无标志的，应以测量为 准。 2．三极管的检测方法 1)判定基极及类型 用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值或均测得高阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，根据基极上所接万用表表笔的极性，来判断三极管的类型： （1）如果基极b接的是红表笔。黑表笔分别接在其他两极时，若测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；若测