电子技术 电工学2 作者 王黎明 第1章.pptVIP

由上图的杂质半导体结构可知： 多数载流子—— 简称多子 少数载流子—— 简称少子 在杂质半导体中，由于掺杂的原因，使得本征半导体中载流子的热平衡被打破，其中浓度大的称为多数载流子，浓度小的称为少数载流子。 比如：在N型半导体中，自由电子的浓度远大于空穴浓度，故自由电子是多子，空穴是少数载流子而在P型半导体中，空穴的浓度远大于自由电子的浓度，为多数载流子，自由电子则为少子。 返回主目录 1.4 晶体管 （1）ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 （2）PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 （3）U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 返回主目录 1.4 晶体管 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 1.4.5 温度对晶体管参数 返回主目录 1.4 晶体管 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 返回主目录 1.4 晶体管 1.4.6 复合晶体管 复合晶体管是把晶体管的管脚适当的连起来使之等效为一个晶体管 返回主目录 1.5 场效应晶体管 1.5.1 增强型绝缘栅场效应晶体管的结构 绝缘栅型场效应管多采用金属铝作栅极，用SiO2作为栅极与半导体之间的绝缘层，这种管子称为金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）场效应管 返回主目录 1.5 场效应晶体管 1.5.2 增强型绝缘栅场效应晶体管的工作原理 1. 导电沟道的形成。 2. 栅缘电压对漏极电流的控制作用。 3. 漏源电压对漏极电流的影响。 返回主目录 1.5 场效应晶体管 1.5.3 增强型绝缘栅场效应晶体管的伏安特性 2.转移特性 1.输出特性 返回主目录 1.5 场效应晶体管 1.5.4 增强型绝缘栅场效应晶体管的主要参数 2.直流输入电阻 1.开启电压 3.低频跨导 4.最大漏源电压 5.最大栅源电压 6.最大耗散功率 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，u为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 1、正向特性 当U＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Uth=0.6V-0.8V左右， 锗二极管的死区电压Uth=0.1V-0.3V左右。 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 2、反向特性 当 U＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降UF(UD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 1.2.4 半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 2. 最高反向工作电压UR------ 二极管运行时允许施加的 最大反向电压称为最高反向工作 电压。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 返回主目录 1.2 半导体二极管及其应用 3. 反向电流IR 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4. 最高工作频率fM 指二极管工作的上限频率。它主要取决于PN结的结电容的大小，使用时，如果信号频率超过此值，二极管的单向导电性将变差，