电路与电子技术基础 第2版 作者 王兆奇 作者 李心广 第12章 集成逻辑门电路.pptVIP

图12-41　用CMOS传输门构成三态门 　CMOS三态门电路 图12-42　附加MOS管构成三态门 　CMOS三态门电路 12.4　正逻辑与负逻辑 12.4.1　正负逻辑的基本概念 12.4.2　正负逻辑变换规则 12.4.1　正负逻辑的基本概念 图12-43　逻辑电平和逻辑极性 12.4.2　正负逻辑变换规则 1)正逻辑“与”门等同于负逻辑“或”门。2)正逻辑“或”门等同于负逻辑“与”门。3)正逻辑“与非”门等同于负逻辑“或非”门。4)正逻辑“或非”门等同于负逻辑“与非”门。5)正逻辑“异或”门等同于负逻辑“同或”门。6)正逻辑“同或”门等同于负逻辑“异或”门。(1)A接10V，B接0.3V，输出Uo为多少伏？(2)A、B都接10V，输出Uo为多少伏？(3)A接0.3V，B悬空，测UB为多少伏。 12.4.2　正负逻辑变换规则 图12-44　二极管门电路 12.4.2　正负逻辑变换规则 表12-2　电平高低表示的真值表 12.4.2　正负逻辑变换规则 表12-3　电路正逻辑表示的真值表 12.4.2　正负逻辑变换规则 表12-4　电路负逻辑表示的真值表 图12-45　正负逻辑符号对比 12.4.2　正负逻辑变换规则 图12-46　例12-1逻辑图 12.4.2　正负逻辑变换规则 　浅饱和TTL电路 图12-19　浅饱和TTL电路的传输特性 　肖特基TTL电路 图12-20　肖特基TTL电路 12.2.5　集电极开路TTL电路(OC门) 1.求负载电阻的最大值RLmax2.求负载电阻的最小值RLmin 12.2.5　集电极开路TTL电路(OC门) 图12-21　两个TTL“与非”门输出端并联 12.2.5　集电极开路TTL电路(OC门) 图12-22　集电极开路TTL电路(OC门) 图12-23　输出端为高电平 12.2.5　集电极开路TTL电路(OC门) 图12-24　输出端为低电平 12.2.5　集电极开路TTL电路(OC门) 12.2.6　三态TTL门(TSL门) 图12-25　TSL门 12.2.6　三态TTL门(TSL门) 表12-1　TSL门的真值表 12.2.6　三态TTL门(TSL门) 图12-26　三态门用于总线传输 12.3　场效应晶体管与MOS逻辑门 12.3.1　N沟道增强型MOS管的开关特性 12.3.2　NMOS反相器 12.3.3　CMOS逻辑门电路 12.3.1　N沟道增强型MOS管的开关特性 　NMOS管的开关作用 　NMOS管的开关时间 　NMOS管的开关作用 1.工作原理2.特性曲线与电流方程 　NMOS管的开关作用 图12-27　绝缘栅场效应晶体管的结构及符号 1.工作原理 图12-28　=0时对导电沟道的影响 1.工作原理 图12-29　是大于的某一值时对的影响 2.特性曲线与电流方程 图12-30　N沟道增强性MOS管的特性曲线 2.特性曲线与电流方程 图12-31　NMOS管开关电路 12.3.2　NMOS反相器 　负载管工作在饱和状态 　负载管工作在非饱和区 　负载管工作在饱和状态 图12-32　负载管工作于饱和状态时的倒相器 　负载管工作在饱和状态 图12-33　V管的伏安特性 　负载管工作在非饱和区 1)当负载管工作于非饱和状态的倒相器，输出的高电平为UDD，它比负载管工作于饱和状态时的倒相器的输出高电平要高出一个开启电平UT，因而可得到大的输出幅度。2)对于负载管工作在非饱和状态的电路，当倒相器从饱和状态转向截止时，负载管的导通电阻Ron不会变得很大(参考有关书籍，通过负载线可得)，倒相器的关闭时间要比负载管工作于饱和状态时小，从而提高了倒相器的工作速度。3)负载管工作在非饱和状态电路的明显缺点是需要两个电源。 　负载管工作在非饱和区 图12-34　非饱和型负载倒相器 12.3.3　CMOS逻辑门电路 图12-35　CMOS反相器 　CMOS反相器 1)无论输入是高电平2)两管总是一个管子充分导通，这使得输出端的等效电容CL能通过低阻抗充放电，改善了输出波形，同时提高了工作速度。3)由于输出低电平约为0V，输出高电平为UDD，因此，输出高电平时的电压值大。 图12-36　CMOS反相器电压的传输特性 　CMOS“与非”门电路 　CMOS“或非”门电路 图12-37　CMOS“与非”门 　CMOS“或非”门电路 图12-38　CMOS“或非”门 　CMOS“或非”门电路 图12-39　CMOS传输门 　CMOS传输门电路 1)当c端接低电平(-5V)时，VTN的栅压为-5V(c端)，ui为-5~5V范围内的任意值，VTN不导通。2)当c端接高电平(5V)时，此时VTN的栅压为5V(c端)，ui为-5~5V范围内的任意值