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双极晶体管 pn结隔离SBC结构工艺流程 Standard Buried Collector标准埋层集电极晶体管结构 集成电路工艺与器件工艺不同的地方在于隔离和互连 SBC结构晶体管的集电区是n型外延层，可决定击穿电压 下有埋层，集电极串联电阻低 主要工艺步骤 1.衬底材料制备 《1》选取p型轻掺杂的抛光硅片做衬底材料，电阻率大约为10?·cm，厚度为几百微米，晶向可以是111或是100。 2.埋层的形成 《2》在硅片上热生长厚度0.5~1.0?m的氧化层做埋层选择扩散的掩蔽层，一般称这步工艺为埋层氧化。 《3》埋层光刻，刻蚀需掺杂区域的硅片上的氧化层。 《4》埋层掺杂，通过扩散或离子注入在硅片上形成埋层，图a a 3. n型外延层的形成 《5》用稀释的HF溶液腐蚀掉硅片表面的氧化层。 《6》在硅片上生长轻掺杂n型的外延层，图b，掺杂浓度在1015~1016cm-3左右。 b 4.隔离区的形成 《7》在外延层上热生长厚度为0.75微米左右的氧化层做隔离选择扩散的掩蔽膜，一般称这步工艺为隔离氧化。 《8》隔离光刻，刻蚀需掺杂区域的硅片上的氧化层。 《9》隔离扩散，图c。将外延层分割成一个个孤立岛。 c 5。晶体管基区的形成 《10》在稀释的HF溶液中腐蚀减薄以致去掉隔离扩散的掩蔽氧化层，减小氧化层台阶；然后热生长基区氧化层。 《11》基区光刻，刻蚀需掺杂p型杂质区域的硅片上的氧化层。 《12》基区掺杂，用扩散或离子注入形成晶体管的基区，图d。 d 6.晶体管发射区和引线孔的形成 《13》发射区光刻，刻蚀需掺杂杂质区域的硅片上的氧化层，同时形成发射区和集电区欧姆接触的光刻图形。 《14》蒸金，用蒸发或溅射方法在芯片背面淀积一层金。 《15》发射区掺杂，用扩散或离子注入形成发射区和集电区欧姆接触，图e e 16光刻引线孔，图f f 7.金属化的形成 《17》蒸铝，用蒸发或溅射的方法在硅片表面淀积一层金属铝 《18》光刻铝，完成电路中各元件间的互连，图g g 晶体管最小套刻间距/?m 画版图 * * 5 基区扩散到基极接触孔 13 发射区扩散到基极接触孔 5 发射区扩散到发射极接触孔 6 发射区扩散到基区扩散窗 12 n+集电极接触扩散到基区扩散窗 15 基区扩散到隔离墙 14 集电极n+接触到隔离墙 15 埋层到隔离墙