LED结构原理与应技术.pptVIP

第三章 3.4 发光机理 白炽灯是把被加热钨原子的一部分热激励能转变成光能，发出宽度为1 000 nm 以上的白色连续光谱。 发光二极管（LED）却是通过电子在能带之间的跃迁，发出频谱宽度在几百 nm 以下的光。 在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带。如果占据高能带（导带）的电子跃迁到低能带（价带）上，就将其间的能量差（禁带能量）以光的形式放出。这时发出的光，其波长基本上由能带差所决定。 基础知识 一. 光的特性. 1.光具有粒子性 ①光是一种以光速C运动着的粒子流，这种粒子叫光子。 ②光的能量是集中在光子中，光子具有一定的频率，其一个光子具有的能量为E=hf=γh. （f:光子具有一定的频率） 二．原子的能级结构 A 晶体的能带 1．孤立原子的能级：在原子中存在着一个个分立能级，电子只能存在于这些分立的能级之上。 2．两个原子的能级：每个能级已经分裂成为两个彼此靠的很近的能级。 3．大量原子能带：电子不再属于个别原子，它一方面围绕每个原子运动，同时电子做共有化运动，相同能量的能级已变成许多靠得很近，分裂能级——形成带状，称为能带。 4．晶体能带：半导体是由大量原子有次序的周期性排列的晶体。 晶体的能带图 半导体的能带和电子分布 自发辐射---LED工作原理 如果把电流注入到半导体中的P-N结上，则原子中占据低能带的电子被激励到高能带后； 当电子从高能带跃迁到低能带时，将自发辐射出一个光子，其能量为 hv。 电子从高能带跃迁到低能带把电能转变成光能的器件叫 LED。 自发辐射的光是一种非相干光： 当电子返回低能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向，它们可以向各自方向传播。 同时，高能带上的电子可能处于不同的能级，它们自发辐射到低能带的不同能级上，因而使发射光子的能量有一定的差别，使这些光波的波长并不完全一样。 发光二极管LED LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统及各种照明中。 在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。 受激吸收 --光接收器件原理 如果把光照射到占据低能带的电子上； 则该电子吸收光子能量后，激励而跃迁到较高的能带上。 在半导体PN结上外加电场后（反向电压），可以在外电路上取出处于高能带上的电子，使光能转变为电流。 这就是将在后面章节中叙述的光接收器件。 受激辐射-- 半导体激光器发光原理 在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带； 如果占据高能带（导带）的电子跃迁到低能带（价带）上，就将其间的能量差（禁带能量）以光的形式放出； 这时发出的光，其波长基本上由能带差所决定。 图3.2.2 光的自发辐射、受激辐射和吸收 LED发射波长的公式推导 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。 色度学中LED光源两个重要参数 色温 显色指数 注意：色温只是一种描述光源颜色的量值，色温相同的光源它们的光谱组成可能会有很大的不同。另外，它与光源本身的温度无关。 LED:What’s inside? Led芯片的分类 垂直结构 水平结构 蓝宝石InGaN衬底LED 水平型结构Led侧面出光路线 垂直芯片制造技术 垂直型芯片性能介绍 水平型芯片性能介绍 外延生长：MO源（高纯金属有机化合物是生长半导体微结构材料的支撑材料。 ）及NH3 （氨气 ）由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 主要设备有MOCVD（气相外延生长技术 ）、活化炉、X-Ray、镭射打标机等。 LED外延片的衬底材料考虑的因素 　　1、衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低; 　　2、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏; 　　3、衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降; 　　4、材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2