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双极性脉宽调制 PWM控制的基本思想 等幅PWM波 输入电源是恒定直流 直流斩波电路 PWM逆变电路 PWM整流电路 不等幅PWM波 输入电源是交流或不是恒定的直流 斩控式交流调压电路 矩阵式变频电路 O w t U d - U d U o ω t PWM控制的基本思想 2）PWM电流波 电流型逆变电路进行PWM控制，得到的就是PWM电流波。 PWM波可等效的各种波形 直流斩波电路 直流波形 SPWM波 正弦波形 等效成其他所需波形，如: 所需波形 等效的PWM波 2电平电压型逆变器调制 双PWM变频器的主电路结构 2电平电压型逆变器调制 最优功率控制 * * * * 均压电阻起给电容放电的作用 * * * * * * * * * * * * 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 电力电子器件 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。 当前器件水平 　 SCR逆变 ａ）逆变电路 ｂ）电压波形 ｃ）电流波形 GTR逆变 ａ）逆变电路 ｂ）电压波形 ｃ）电流波形 　IGBT逆变 ａ）逆变电路 ｂ）电压波形 ｃ）电流波形 不可控器件—电力二极管 整流二极管及模块 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 晶闸管的结构与工作原理 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 第*页 晶闸管的工作原理 晶闸管的双晶体管模型 i G IC2 IA K A G T2 T1 IK IC1 晶闸管的基本特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管的基本特性 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 1） 静态特性 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 晶闸管的基本特性 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM （2）反向特性 晶闸管的基本特性 1) 开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt以上两者之和， tgt=td+ tr （1-6） 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq以上两者之和tq=trr+tgr （1-7) 普通晶闸管