PVD-物理汽相淀积.ppt

5.3 溅射 de段-正常的辉光放电。电压已定，电流的增加与电压无关，只与阴极上产生辉光的表面积有关。有效放电面积随电流的增加而增加。阴极有效放电区内的电流密度保持恒定。 （4）反常辉光放电-ef段。放电电压和电流密度同时增大。（溅射区域） 特点：电流增大时，两个放电极板之间电压升高，且阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。 （5）电弧放电-fg段。电流继续增加，放电电压再次突然大幅度减少，电流急剧增加。 偏压溅射 在衬底与靶材之间加偏压，以改变入射到衬底表面的带电粒子的数量和能量 偏压作用下： （1）使带电离子对表面的轰击可以提高淀积原子在薄膜表面的扩散和参加化学反应的能力，提高薄膜的密度和成膜能力。 （2）抑制柱状晶体生长和细化膜晶粒等。 （3）可改变薄膜中气体含量 5.3 溅射 谢谢 第五章 物理气相沉积 5.1 PVD概述 5.2 真空蒸镀 5.3 溅射 * 5.1 PVD概述 物理气相淀积 PVD（Physical Vapor Deposition) 定义： 利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。 PVD基本方法 蒸发（Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体） 溅射 5.1 PVD概述 物理气相淀积 蒸发（evaporation） 在真空系统中加热蒸发源，使原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。 溅射（sputtering） 真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。 5.1 PVD概述 PVD的发展 蒸发： 蒸发优点： 较高的淀积速率； 薄膜纯度高，厚度控制精确； 生长机理简单； 蒸发缺点： 台阶覆盖能力差； 工艺重复性不好； 淀积多元化合金薄膜时组分难以控制 5.1 PVD概述 PVD的发展 溅射： 溅射优点： 淀积薄膜与衬底附着性好 淀积多元化合金薄膜时组分容易控制 较高的薄膜溅射质量 5.2 真空蒸镀 真空状态 真空蒸发：在真空中，把蒸发料(金属)加热，使其原子或分子获得足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中遇到基片，就淀积在基片上，形成薄膜。 5.2 真空蒸镀 真空蒸镀法设备 真空系统 为蒸发过程提供真空环境； 蒸发系统 放置蒸发源的装置，以及加热和测温装置等； 基板及加热系统 放置硅片，对衬底加热装置和测温装置等； 5.2 真空蒸镀 真空蒸发的三个过程 蒸发过程：对蒸气源进行加热，使其温度接近或达到蒸发材料的熔点，则固态源表面的原子容易逸出，转变为蒸气； 气相输运过程：源蒸气从源到衬底表面之间的质量输运过程。蒸气原子在飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞，两次碰撞之间飞行的平均距离为平均自由程； 成膜过程：到达衬底的蒸发原子在衬底表面先成核再成膜的过程。 5.2 真空蒸镀 汽化热与蒸汽热 汽化热：将蒸发源材料加热到足够高的温度，使其原子或分子获得足够的能量，克服固相的原子束缚而蒸发到真空中，并形成具有一定动能的气相原子或分子，该能量为汽化热ΔH，常用金属的ΔH为4eV； 蒸汽压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态平衡时所表现出来的压力为饱和蒸汽压； P?为蒸汽压，A为积分常数，R0为阿夫加德罗常数 5.2 真空蒸镀 多组分蒸发方法 合金靶中各组分材料的蒸汽压接近 不同温度多源顺序蒸发 最后高温退火 不同温度多源同时蒸发 5.2 真空蒸镀 真空度与平均自由程 需要真空环境的原因： 被蒸发的原子或分子在真空中的输运应该是直线运动，以保证被蒸发的原子或分子有效的淀积在衬底上； 真空度太低，残余气体中的氧和水汽，会使金属原子或分子在输运过程中发生氧化，同时也将使加热的衬底表面发生氧化； 系统中残余气体及所含的杂质原子或分子也会淀积在衬底上，从而严重的影响了淀积薄膜的质量。 5.2 真空蒸镀 真空度与平均自由程 ? 反比于气体压强 r为气体分子的半径 平均自由程 在一定的条件下，一个气体分子在连续两次碰撞之间可能通过的各段自由程的平均值，微粒的平均自由程是指微粒与其他微粒碰撞所通过的平均距离。用符号λ表示，单位为米。 5.2 真空蒸镀--蒸发源 电阻加热源 原理：电阻加热源是利用电流通过加热源时所产生的焦耳热来加热蒸发材料。 加热体：钨、钼、钽和石墨等。 对加热体的要求：不产生污染； 熔点高：高于蒸发源的蒸发温度； 饱和蒸汽压低：低于蒸发源； 化学性能稳定：不发生化学反应，不形成合金 优点：工艺简单，蒸发速率快； 缺点：难以制备高熔点，高纯度薄膜； 5.2 真空蒸镀--蒸发源 电子束蒸发源 原理：基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料，使蒸发