《MTK手机电路原理分析》.doc

MTK电路原理分析  · · · · ·  转载请注明出处! MTK使用的是6229的BB芯片，Transeiver使用的是MT6140，PA为3159芯片。 6229和6230的区别为CAMERA的支持像数，6229支持200万像数，6230只 支持30万像数。 6229和6226，6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持 EDGE，并且6229的主频为104MHZ，相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处 理速度快了许多，所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。 OTG只支持USB1.1版本，OTG的数据线规范要求不能大于20CM，如果过长 会对信号有较大的衰减和反射。 6229也使用的是32.768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz是 RTC（实时时钟）晶振，用32.768是因为32768是2的15次幂，可以很方便的 分频，很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32.768或是其倍 频。在手机电路中还有一主时钟，一般为13MHz或是其倍频。之所以选用 13M这样的时钟是为了与基站同步。 · · ·  MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的 方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。 NOR＋NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码，采用NAND存储代 码(操作系统和应用软件)和数据，易失性RAM被用来存储执行代码时 的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来 执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。 混合存储器采用SRAM和NAND，采用NAND作为非易失性存储器， 所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从 NAND引导，不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR，因此可降低 总系统成本。它们还可以减少元器件数量，节省了电路板空间。但 是，这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需 要主机上有支持请求调页的先进操作系统。 MIC电路 MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压，一般为2.4V-2.7V左右 的电压。 C204，C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电 容，如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容，如果有WIFI 2.4GHZ的干扰则 使用8.2PF的电容。 C206主要是抑制共模信号。 C201,C202为100NF电容，主要作用为隔直通交，防止直流电使PA饱和，产生信号偏移， 主要滤除100HZ一下的电流。 B201，B202为磁珠，主要滤除高频部分的干扰。 MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN，而不用公共的GND，主要是因为GND干 扰太大。 磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变 化。 他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的 频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果 MIC内部结构 OUTPUT  CP TERM。1  RL  C C1 C2 VS  Shield case TERM。2  GROUND  C1=10pf C2=33PF RL=2.2K VS=2.0V  · ·  Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转 换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化，最终都以电压变化的形式输出。所以， 我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。 CP就是那颗能根据振动调整容值的电容，然后通过后面的场效应管放大信号，C1， C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。 耳机电路 VDD 2.8V 100K VDD 47K-190K上拉电阻，典 型值为75K  B  压降为0.2-0.3V C  EINT  BB A 未插入耳机时，A点断开，所以B点处于高电平，二极管截至，C处为高电平，所以 EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。 当插入耳机时，由于耳机一般为64欧姆，32欧姆，或者16欧姆（MTK使用的为32欧姆）。 相对于100K欧姆，分压仅为0.1V左右，二极管导通，C处电压为0.1+0.2=0.3左右，EINT值 为低电平，BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的，耳机插入还需 要满足下面另一个条件。 MICBIOS MICBIOS XMIC ADC ADC 若满足1.ADC1V，2. EIN为低电平。则表示耳机为插入。 Right Left MIC GND 若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上，