0.18μm mos 10gbps限幅放大器设计.pdfVIP

摘要 摘要 高性能计算机和网络通信技术是整个信息技术的制高点，已成为衡量一个国家综合实力的重要 标准．国际半导体技术蓝图(ITRS)指出芯片性能的增长速度已远远超越了互连性能的增长速度， 传统的芯片间电互连存在带宽受限、串扰严重以及功耗过高等问题，已经不能满足大容量数据传输、 新一代通信设备和高性能计算机等方面的系统应用需求．光互连作为一种新的互连方式，具有带宽 大、功耗低、延迟小及抗干扰等许多电互连不可比拟的优点。因此，研究高速芯片之间光互连技术 与试验平台，将有望解决高速芯片之间的通信瓶颈问题，为实现大容量、高速率以及低功耗的芯片 间光互连奠定基础。 在用于高速芯片光互连系统中的几个功能电路中，构成光接收机前端放大电路之一的主放大器 是一个关键电路，它的性能在很大程度上决定了整个光接收机的性能。本课题的任务是实现适用于 高速芯片光互连系统中10cb蝉速率级的单片集成主放大电路。考虑到电路性能和成本的折衷，本 文选择了中芯国际(SMIC)O．18proCMOS工艺来设计主放大电路．本文选择限幅放大器作为前端 放大电路的主放大器，它具有设计简单，功耗低，芯片面积小和外接元件少等优点．由于o．1