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半导体光电子器件 1409-91、11、12、班 --2012.03-06-- 张鹤鸣0) hmzhang@xidian.edu.cn “Complete Guide to Semiconductor Device” 指出： 半导体器件有67种，110余变种。 课程主要内容 CH1 半导体光电子器件物理基础 CH2 半导体太阳电池（Solar Cells） CH3 半导体光电探测器（Photodetectors） CH4 半导体电荷耦合器件（CCD） CH5 半导体发光二极管（LED） CH6 半导体激光器（LD） Ch1 半导体光电子器件物理基础 一、 pn结 二、 MIS结构 三、 金属与半导体接触 四、 异质结与量子阱 五、 半导体光吸收与光辐射 六、 平板介质光波导基本理论 基本物理属性 基本电学特性 §1-1 pn结（同质） §1-2 MIS结构 §1-3 金属与半导体接触 §1-4 异质结与量子阱 2）电子流与空穴流特征-注入比 #异质结基本应用 A1. 限制BJT频率特性因素 A2.解决途径—HBT(异质结双极晶体管) 1、量子阱—载流子能量量子化 # 超晶格能级状态 -载流子受晶格周期性势场和可控的超晶格周期性势场作用。那么载流子的波函数也可人为控制。 对于给定的b、c、V0、m*，可得到F(Ez)所满足的条件，即： §1.5 半导体光吸收与光辐射 一、折射率与吸收系数 1、折射率：光在半导体中传播服从Maxwell方程 设:沿z方向传播的平面波电场在y方向偏振 则：波动方程(5)变为 结论： 1.光波在 介质中以速度c/N沿z方向传播时，其 分别在y与x方向偏振的电场和磁场矢量的振幅 都按 衰减。 二、半导体光吸收 机理：载流子吸收光能跃迁； 晶格振动吸收光能。 机制：本征吸收，杂质吸收，自由载流子吸收， 激子吸收，晶格振动吸收。 条件：能量守恒- 动量守恒- 特征：存在长波限。 1、本征吸收 价带电子吸收光子能量跃迁至导带。 1)、直接带隙半导体 能量守恒： 动量守恒： 即电子跃迁保持波矢不变-直接跃迁。 吸收系数： C与折射率、有效质量、 介电常数、光速等有关的 量，近似为常数。 2)、间接带隙半导体 存在：直接跃迁； 间接跃迁。 间接跃迁-光子、电子、声子共同参与。 能量守恒： 动量守恒： 吸收系数： 2、杂质吸收--杂质能级载流子跃迁 3、自由载流子吸收 导带及价带内电子从低能级跃迁到高能级。 能量守恒： 动量守恒：吸收或释放声子。 特征：吸收系数随波长增大而增强。 (跃迁能量间隔小，参与声子少) 4、激子吸收 激子： 处于禁带中的电子与价带中的空穴在 库仑场作用下 束缚在一起形成的电中性系统。 激子可以在整个晶体中运动，不形成电流。 激子吸收： 价带电子受激跃至禁带，形成激子。 激子吸收特征： 5.晶格吸收 光子能量直接转换成晶格振动动能。 6.子带吸收 量子阱、超晶格子带间跃迁 # 半导体的光吸收 机理：载流子吸收光能跃迁； 晶格振动吸收光能。 机制：本征吸收，杂质吸收，自由载流子吸收， 激子吸收，晶格振动吸收，子带吸收。 条件：能量守恒- 动量守恒- 三、半导体的光辐射 处于激发态(高能态)的电子跃迁至低能态，能量以光  辐射(光子)形式释放--光辐射。 光辐射—光吸收逆过程