Nb∶SrTiO3单晶基片上外延生长BaTiO3薄膜的漏电流机制分析.pdfVIP

Nb：SrTiO。单晶基片_k外z4生长BaTiO。薄膜的漏电流机制分析／潘瑞琨等 · 1 · 潘瑞琨，刘攀克，黎明锴，何云斌 (湖北大学材料科学与工程学院，武汉430062) 摘要 采用脉冲激光沉积法(PLD)，在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb：SrTiOs，NSTO)上外延生长了15nIn厚 测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构，证实了薄膜的外延生长特征。以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电 极，在室温下测试了BTO薄膜的电流一电压(／-V)曲线。通过拟合}V曲线，结果表明：在正向电压下，薄膜的漏电流 emission)， 符合空间电荷受限电流机制(SCLC)；在反向电压下，漏电流先为普尔一弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel 随着反向电压的升高，转变为福勒一诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheimtunneling)。分析指出，在Pt／BT0界面存 在一个可变的肖特基势垒，该势垒受到BTO薄膜内部迁移的