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(3) 大功率晶体管基极驱动电路 要求：a.管子开通前提供前沿陡、幅值大的正向驱动电流，减小开通时间，降低开通损耗。 （提高电源电压，采用大阻值限流电阻），理想驱动电流是恒流源特性。 b.导通后足够的基极电流 抗饱和自适应驱动电路：准饱和状态，接在前一级放大管的基极端，存储时间减小，但通态损耗增加。VD1选择导通电压低的快速二极管，VD2选择高压二极管和快恢复二极管。 c.管子关断时，提供足够大的反相基极电流，减小关断损耗。 d.各路基极驱动要隔离。 e.门极电阻影响开关损耗 （4）IGBT和MOSFET a.门极电压最大定额正负20V，稳压管保护。 B.驱动信号大于阈值电压，前沿要陡，信号源内阻小。 c.器件关断提供放电通路，反向电压取-5~-10V d.提供驱动电流和功率。 e.合适的门极电阻 f.驱动电路与控制电路隔离 三个实例： 正向驱动信号，合适变压器变比，IGBT导通 输入零电平，变压器输出反向方波脉冲，对IGBT门极电荷起反抽作用 特点：门极电压正负脉冲幅值之和为常数。脉宽变化正负脉冲幅值变化，适用于恒定脉宽的小功率器件驱动场合。 特点：不用独立驱动电源，结构简单，脉宽变化不影响幅值，缺点是没有门极反向电压，抗干扰能力不强。 特点：适用于各种脉宽，抗干扰能力强。 3. 晶闸管和GTO的区别（结构和驱动要求）： 晶闸管：驱动如前所述，结构四层，3个PN结，发射极短路结构，深度饱和 GTO：四层结构，门级把许多阴极包围，阴极采用台式结构，形成的是多元集成结构。临界饱和 3~.比较GTO和IGBT的特性 GTO：如上，产生三个过电压，大容量，低吸收电容，低损耗；缺点是du/dt耐量小，关断增益小对触发装置要求高，冷却困难，开关频率低 IGBT：特点：把BJT和MOSFET的优点集中再一起。 开关时间短，开关频率高；导通电压比MOSFET小；控制极电压控制，驱动功率小；通态损耗小；安全工作范围大，无二次击穿；易并联运行。 4.PWM比方波逆变器的优点是什么？ 谐波小；动态响应快（不需调节电容上的电压）；电源侧功率因素高（不控条件a=0）；控制电路简单；成本低 （正弦电压PWM逆变器的电压利用率比方波逆变器低） 5. PWM电压波形的原理和产生方法？ 原理：直流电压供给逆变器通过开关元件有规律的导通和关断，输出电压由宽度不同的脉冲组成，削弱和消除某些高次谐波。改变正弦控制波的幅值和频率可以改变电压基波的幅值和频率。 模拟电路：振荡器产生正弦波和三角波，通过比较器给出信号，控制逆变器桥臂上下开关元件的导通和关断。线路复杂，精度不高 数字电路：自然采样法；规则采样法（1,2）；直接PWM法（面积相等法）；集成芯片 6. IGBT的等值电路图，简述其工作原理和特点。 特点：把BJT和MOSFET的优点集中再一起。 开关时间短，开关频率高；导通电压比MOSFET小；控制极电压控制，驱动功率小；通态损耗小；安全工作范围大，无二次击穿；易并联运行。 原理：控制极（栅极）加正压，控制极下P基层表面形成N沟道，发射极与N区接通，由集电极加正压，从集电极注入空穴，发射极经沟道流入电子，N区电阻降低、电流增大，元件导通，减少控制极与发射极间电阻以防止擎住作用；关断过程集电极电流先迅速减少，后以指数规律缓慢减少。 7. 升降压斩波器： U0=D1-D*E 8. 驱动电路的功能： P70第一段简单介绍了各种器件对于驱动电路的要求 9. 内外双脉冲触发方式的原理（P73） 双脉冲触发的意义：保证整流桥合闸后共阴极组和共阳极组各有一只晶闸管导通，防止断流（阻性负载断流，阻感性负载L不够大，小于维持电流） 每个触发电路在每个周期内只产生一个脉冲， 脉冲输出电路同时触发两个桥臂的晶闸管，这叫外双脉冲触发； 每个触发电路在一个周期内连续发出两个相隔60°的窄脉冲， 脉冲输出电路只触发一个晶闸管，这称为内双脉冲触发。 内双脉冲：一相的触发脉冲除了送到本相的功率放大级外，还要送到60度前触发的一相的驱动级。 外双脉冲：每个脉冲两个绕组，输出脉冲同时触发两只晶闸管。 10. SPWM相比于电压型逆变器的优缺点？？？ SPWM的优缺点（P119） 消除谐波效果好，抑制和消除2N-1次以下谐波，输出波形接近正弦波，脉动转矩小；调频调压，动态响应快；整流部分不需要调压，二极管桥式整流提高功率因数；开关损耗大，用IGBT；直流电源电压利用率低 谐波小；动态响应快（不需调节电容上的电压）；电源侧功率因素高（不控条件a=0）；控制电路简单；成本低 （正弦电压PWM逆变器的电压利用率比方波逆变器低） 11. 充放电RCD和钳位式RCD的原理、应用（P95~P97） 充放电RCD：器件关断时C充电，器件开通时通过电阻R放电，限制器件中的开通尖峰电流。充入电容的能量通过R消耗，功