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冗余金属填充对电特性的影响研究 摘要 随着现代超大规模集成电路(VLSI)的不断发展，互连线对时序的影响也 越来越大。在SoC(片上系统)设计中，对性麓和功耗的要求也在不断的增加。 随着半导体器件尺寸的不断缩小，一些工艺过程也发生了相应的改变，例如光 刻，CMP(化学机械研磨)等。在CMP过程中，金属密度的不均匀导致金属厚度 的起伏，产生碟形，磨损。在进行多金属层芯片的制造过程中，密度不均匀导 致的不平坦化对第一、第二金属层的影响并不显著，但由于不平坦化效应的叠 加，在越来越离的金属层，就可能出现短路、断路等不希望出现的结采，从箍 影响整个电路的运行。因此需要进行冗余金属填充来调节金属的密度，使其达 到一致，以此采改善金属表面的乎坦性，僵另一方面，冗余金属的填充会增加 互连电容，互连电阻，信号延迟以及功耗的增加等一系列问题。 研究冗余金属填充的目的就是为了降低这些寄生参数，使其对电路的性能 影响最小，在实现平坦化的同时使电路的性能不受较大影响，从而可以进行多 层金属的制造，这样可以大幅降低生产的成本，极大的提高芯片厂的成晶率和 经济效益。 本文关注的是冗余金属对互连线之间耦合电容的影响，重点研究起主要作 耀的是冗余金属的形状，面